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半导体晶片和模具背面外部目视检查

此检查方法适用于产品半导体晶片和骰子在组装前的检查。该测试方法定义了执行标准外部目视检查的要求,是一种非侵入性和无损检查,可用于确认、质量监控和批验收。

JESD22-B118A 2021年11月 视图
为ddr2 rdimm应用程序的sstua32s865和sstua32d865 28位1:2注册缓冲区的定义

本标准为SSTUA32S865和SSTUA32D865注册缓冲区的定义定义了直流接口参数、交换参数和测试负载的标准规范,该缓冲区具有2阶× 4或类似的高密度DDR2 RDIMM应用程序的校验。这是一个小的编辑修改,如文件的附件a所示。

JESD82-19A.01 2021年10月 视图
为ddr2 rdimm应用程序的1.8 v可配置注册缓冲区的定义

本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTU32866注册缓冲区的奇偶校验定义的直流接口参数、交换参数和测试加载的标准规范。目的是为SSTU32866(见注释)逻辑设备提供一个标准,用于一致性、源的多样性、消除混乱、易于设备规范和易于使用。这是一个小的编辑修改,如文件的附件a所示。

JESD82-10A.01 2021年10月 视图
Nand flash接口互操作性

本文档定义了一个标准的NAND闪存设备接口互操作性标准,该标准为设计的系统提供了方法,该系统可以支持异步SDR、同步DDR和Toggle DDR NAND闪存设备,这些设备在JEDEC和ONFI成员实现之间可互操作。该标准由JEDEC和开放NAND F亚博收网行动lash接口工作组(以下简称ONFI)共同开发。1767.57项

JESD230E 2021年10月 视图
注册-运输和处理托盘的DDR5 DIMM微电子组件

指示器:N / A
项目:-997年11.5,访问CO-036B的STP文件
交叉参考:N / A

有限公司- 036 b 2021年10月 视图
标准制造商标识码

制造商标识码由一个或多个8位字段定义,每个字段由7个数据位加1个奇偶校验位组成。制造商标识码由JEDEC办公室负责分配、维护和更新。该识别码的目的是在需要数字领域(如硬件、软件、文档等)时可以使用。要申请身份证号码,请登录//www.ljosalfur.com/Home/MIDCODE_request.cfm

JEP106BD 2021年10月 视图
注册-电池电池R/A T/H型连接器,1.2毫米间距

标识符:PSXC-P6_I1p2-R11p6x5p85Z2p0-R0p3x0p31H1p16Item: 11.14-198, AccessSO-026A的STP文件交叉参考:N / A

所以- 026 a 2021年10月 视图
注册-电池电池R/A SMT型连接器,1.2毫米间距

指示器:PSXC-L6_I1p2-R11p6x5p85Z2p07-R0p3x0p6ET0p07
项目:-198年11.14,访问SO-028A的STP文件
交叉参考:N / A

所以- 028 a 2021年10月 视图
DDR5更快

本文档定义了DDR5 SDRAM规范,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。本标准的目的是为x4、x8和x16 DDR5 SDRAM设备定义JEDEC符合8Gb到32Gb的最低要求集。该标准是基于DDR4标准(JESD79-4)和DDR、DDR2、DDR3和LPDDR4标准(JESD79、JESD79-2、JESD79-3和JESD209-4)的某些方面而制定的。项目1848.99 k。

JESD79-5A 2021年10月 视图
堆叠DDR内存用的sstv16859 2.5 v 13- 26-bit sstl_2注册缓冲区的定义标准:

本标准定义了堆叠DDR DIMM应用SSTV16859 13- 26位sstl2注册缓冲区的直流接口参数、交换参数和测试加载的标准规范。目的是为SSTV16859逻辑设备提供一个标准,用于一致性、源的多样性、消除混乱、易于设备规范和易于使用。这是一个小的编辑修改,如文件的附件a所示。

JESD82-4B.01 2021年10月 视图
用于2R x 4 DDR2 RDIMM的具有奇偶校验的SSTU32865注册缓冲区的定义

本标准提供适用于DDR2 rdimm的28位1:2注册驱动程序的功能定义、球域配置和包概要、信号定义和输入/输出特性。SSTU32865将两个SSTU32864设备(在JESD82-7中定义)的功能等效集成到一个设备中,从而减轻了布局和板设计的限制,特别是在高密度rdimm(如双级)上,通过四种配置。此外,还提供了奇偶校验函数的可选使用,允许在其22个数据输入中检测和报告奇偶校验错误。JESD82-9指定一种160针薄型材,细间距球栅阵列(TFBGA)封装。这是一个小的编辑修改,如文件的附件a所示。

JESD82-9B.01 2021年10月 视图
为ddr2 rdimm应用程序的1.8 v可配置注册缓冲区的定义

本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTUB32868注册缓冲区的奇偶校验定义的直流接口参数、交换参数和测试加载的标准规范。SSTU32S2868表示单模实现,SSTU32D868表示双模实现。这是一个小的编辑修改,如文件的附件a所示。

JESD82-14A.01 2021年10月 视图
sstua32866 1.8 v可配置注册缓冲区的定义,用于ddr2 rdimm应用程序的奇偶校验

本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTUA32866注册缓冲区的奇偶校验定义的直流接口参数、交换参数和测试加载的标准规范。目的是为SSTUA32866(见注释)逻辑设备提供一个标准,用于一致性、源的多样性、消除混乱、易于设备规范和易于使用。这是一个小的编辑修改,如文件的附件a所示。

JESD82-16A.01 2021年10月 视图
注册-电池电池线侧连接器,间距1.2毫米

指定项:pbxc - q6_i1p2 - r7p9x4p25z1p58配置项:11.14-199,AccessSO-027A的STP文件交叉参考:N / A

所以- 027 a 2021年9月 视图
光束加速软错误率的试验方法

该测试用于测定固态易失性存储阵列和双稳态逻辑元件(如触发器)在已知通量的中子或质子束辐照下的误码率,以确定地面宇宙射线软误码率(SER)灵敏度。该加速试验的结果可用于估算给定的地面宇宙线辐射环境下的地面宇宙线诱导SER。该测试不能用于投射阿尔法粒子诱发的SER。

JESD89-3B 2021年9月 视图
附录1至JESD251 -可选x4四元I/O数据频闪器

附录的目的是在JESD251 xSPI标准中添加一个可选的4位总线宽度(x4)。xSPI接口目前支持x1接口,该接口充当到遗留SPI功能的桥梁,以及x8接口,该接口旨在实现比遗留SPI内存实现更高的总线性能。1775.15项目。这是对2018年10月JESD251-1的编辑修订

jesd251 - 1.01 2021年9月 视图
在半导体器件中测量和报告粒子和地球宇宙射线引起的软误差

本规范定义了集成电路的地面软误差率(SER)测试和结果报告的标准要求和程序。实时(非加速)和加速测试程序都被描述。在地球的高度,主要的辐射源包括宇宙射线辐射和来自封装和芯片材料中的放射性同位素杂质的粒子辐射。只有当完成了非加速测试,或者获得了粒子分量和宇宙辐射分量的加速SER数据时,deviceís SER的全面评估才算完成。

JESD89B 2021年9月 视图
串行flash可发现参数(sfdp)

SFDP (Serial Flash Discoverable Parameter)标准提供了一种一致的方法,以一组标准的内部参数表描述串行Flash设备的功能和特性能力。主机系统软件可以查询这些参数表,以便进行所需的调整,以适应来自多个供应商的不同特性。任何公司都可以通过向JEDEC办公室提出请求来要求一个特定功能的IDjuliec@jedec.org.请在邮件主题栏中加入“功能特定ID请求,JESD216”。项目1775.15和1775.18。

JESD216E 2021年9月 视图
注册-塑料,超,超,超薄,细间距,双小轮廓,平,铅包装。(u, x1, x2) f-psof hx2-psof。

项目-459 - 11.10

mo - 293 b 2021年9月 视图
注册- 288 Pin DDR5 DIMM, 0.85 mm间距微电子组件

指示器:PDMA-N288-I0p85-R133p8x # # 7 z31p8r2p55x0p6
项目:-206年11.14,访问用于MO-329D的STP文件
交叉参考:MO-329, SO-023, GS-010

mo - 329 d 2021年9月 视图
扩展串行外设接口(xSPI)为非易失性存储器设备

此标准适用于SoC、ASIC、ASSP和FPGA开发人员或对合并主接口感兴趣的供应商,该主接口具有低信号计数和高数据传输带宽,并可访问与该接口兼容的多个源从设备。它也被外设开发人员或供应商有意提供符合标准的从设备,包括非易失性存储器,易失性存储器,图形外设,网络外设,fpga,传感器等。1775.64项目。

JESD251B 2021年9月 视图
注册时钟驱动定义(ddr5rcd01)

本文档定义了用于DDR5 RDIMM和LRDIMM应用中驱动地址和控制网的具有奇偶校验的DDR5注册时钟驱动器(RCD)的DC接口参数、交换参数和测试加载的标准规范。DDR5RCD01设备ID为DID = 0x0051。

jesd82 - 511 2021年8月 视图
DDR5 288 Pin U/R/LR DIMM连接器性能标准,DDR5 ps - 005 a.01 2021年8月 视图
商用和军用半导体器件分销商的一般要求

本标准确定了供应商用和军用产品的分销商的一般要求。本标准适用于所有制造商生产的所有分立半导体、集成电路和混合电路,无论是封装的或晶圆/模具形式的。本文件中定义的要求仅适用于所有权仍属于经销商或制造商的产品。

JESD31F 2021年8月 视图
Enclosure form factor for SSD devices, version 1.0

本文档规定了可用于不同类型SSD设备的框形因素:上框和下框的轮廓,将框安装到系统上的3个螺钉孔,顶部框的2个锁紧孔用于锁定连接器。318.06项目。这是一个小的编辑修改,详见附件D。

JESD253.01 2021年8月 视图
XFM设备,版本1.0

本标准规定了XFM器件的机械和电气特性。这些特性包括封装尺寸、引脚布局、信号分配、电源电压、电流和PCIe接口的电气特性。

JESD233 2021年8月 视图
复制精确的制造过程

本出版物定义了精确复制过程(CEP)匹配、实时过程控制、监视和CEP的持续评估的需求。给出了输入、过程控制、程序、过程指标、人为因素、设备/基础设施和匹配输出的关键要素要求。制造商、供应商及其客户可以使用这些方法在其业务协议的约束下定义过程转移的要求。

JEP185 2021年8月 视图
alpha源加速软错误率的测试方法

该测试方法作为标准程序提供,通过测量设备在表征的固态阿尔法源照射下的错误率,来确定固态易失性存储阵列和双稳态逻辑元件(例如触发器)的阿尔法粒子软错误率(SER)灵敏度。

JESD89-2B 2021年7月 视图
实时软错误率的测试方法

该测试用于确定固态易失性存储阵列和双稳态逻辑元件(例如触发器)的软错误率(SER),这些错误只需要重新读取或重写即可纠正,并用于地面环境。它模拟设备的运行状态,用于确认、表征或可靠性监测。本试验旨在在没有人为引入辐射源的环境条件下进行。

JESD89-1B 2021年7月 视图
以拟合单位计算失败率的方法

该标准通过使用不同程度的详细数据建立了以FITs为单位计算失败率的方法,这样可以从几乎任何数据集获得结果。目的是为失败率的计算方法提供参考。

JESD85A 2021年7月 视图
高温贮存寿命

该测试适用于所有固态器件的评估、筛选、监控和/或确认。高温存储测试通常用于确定时间和温度的影响,在存储条件下,对于热激活失效机制和固态电子设备的时间到失效分布,包括非易失性存储设备(数据保留失效机制)。热激活失效机制采用阿伦尼乌斯加速度方程建模。在测试过程中,使用加速应力温度,而不使用电气条件。这种测试可能是破坏性的,取决于时间、温度和包装(如果有的话)。

JESD22-A103E.01 2021年7月 视图
模块边带总线(SIDEBAND BUS)

这个标准是对JESD403-1的一个小的编辑修订,它定义了下一代内存解决方案的系统管理总线的假设;包括接口协议,集线器设备的使用,以及适合这些用途的电压。项目2260.37 b。

jesd403 - 1.01 2021年7月 视图
注册-塑料双小轮廓表面终端,可湿的侧面包

指示器:PDSO_N # [#] _I # x - r # # # -CturET0p04 Z
项目:-994年11.11,访问用于MO-340B的STP文件
交叉参考:DR4.8, DR4.16, DR4.20

mo - 340 b 2021年7月 视图
DDR4内部标准

本文档定义了DDR4 SDRAM规范,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。本标准的目的是为x4、x8和x16 DDR4 SDRAM设备定义JEDEC符合2gb到16gb的最低要求集。该标准是基于DDR3标准(JESD79-3)以及DDR和DDR2标准(JESD79, JESD79-2)的某些方面创建的。委员会项目1716.78 h

JESD79-4D 2021年7月 视图
注册- SSD设备金属框,E1。年代和M.2

指示器:MMXH-R (# #) x36p75Z (# #)
项目:-205年11.14,访问针对MO-348A的STP文件
交叉参考:N / A

mo - 348 a 2021年7月 视图
低功耗双数据速率5 (lpddr5)

本文档定义了LPDDR5标准,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。本规范的目的是定义符合JEDEC标准的x16单通道SDRAM设备和x8单通道SDRAM设备的最低要求集。LPDDR5的设备密度为2gb ~ 32gb。本文档使用以下标准创建:DDR2 (JESD79-2)、DDR3 (JESD79-3)、DDR4 (JESD79-4)、LPDDR (JESD209)、LPDDR2 (JESD209-2)、LPDDR3 (JESD209-3)和LPDDR4 (JESD209-4)。项目1854.99 b。

JESD209-5B 2021年6月 视图
低功耗双数据速率4 (lpddr4)

本文档定义了LPDDR4标准,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。该标准的目的是定义具有一个或两个通道的符合JEDEC标准的16位每通道SDRAM设备的最低要求集。LPDDR4双通道设备密度为4gb ~ 32gb,单通道设备密度为2gb ~ 16gb。本文档使用以下标准创建:DDR2 (JESD79-2)、DDR3 (JESD79-3)、DDR4 (JESD79-4)、LPDDR (JESD209)、LPDDR2 (JESD209-2)和LPDDR3 (JESD209-3)。委员会项目:1824.42 d

JESD209-4D 2021年6月 视图
184针PC-2700 SDRAM无缓冲内存-基于tsop的dram设计规范

第31版这个修订版只包含术语更新。

MODULE4.20.8 2021年5月 视图
184引脚,PC-1600/PC-2100 DDR SDRAM无缓冲内存设计规范。

第31版这个修订版只包含术语更新。

MODULE4.20.5 2021年5月 视图
PC-1600/PC-2100 DDR SDRAM注册内存设计规范(184 Pin)

第31版这个修订版只包含术语更新。

MODULE4.20.4 2021年5月 视图
184 Pin Unbuffered DDR SDRAM DIMM

第31版这个版本只包含术语更新。

MODULE4.5.10 2021年5月 视图
184 Pin Unbuffered SDR SDRAM DIMM系列

第31版这个版本只包含术语更新。

MODULE4.5.11 2021年5月 视图
240针无缓冲和注册DDR2 SDRAM DIMM家族

第31版这个修订版只包含术语更新。

MODULE4.5.14 2021年5月 视图
240-Pin PC3-6400/PC3-8500/PC3-10600/PC3-12800/PC3-14900/PC3-17000 DDR3 SDRAM无缓冲内存设计规格

31号发布。项目2131.03,2078.04,2131.06本修订版仅包含术语更新。

MODULE4.20.19 2021年5月 视图
240-Pin PC2-5300/PC2-6400 DDR2 SDRAM无缓冲内存设计规范

31日发布。项目2167.05本修订仅包含术语更新。

MODULE4.20.13 2021年5月 视图
加速防潮-无偏置

执行无偏置测试是为了评估非密封封装固态器件在潮湿环境中的可靠性。它是一种高加速试验,在不凝结的条件下利用温度和湿度来加速湿气通过外部保护材料(封装材料或密封材料)或沿着外部保护材料和通过它的金属导体之间的界面渗透。本试验不采用偏置,以确保可能被偏置掩盖的失效机制能够被发现(例如,电偶腐蚀)。该测试用于识别包装内部的失效机制,具有破坏性。

JESD22-A118B.01 2021年5月 视图
高加速温度和湿度压力测试

本测试方法的目的是评估非密封封装固态器件在潮湿环境中的可靠性。它采用温度、湿度和偏置的恶劣条件,加速湿气通过外部保护材料(封装材料或密封材料)或沿着外部保护材料和通过它的金属导体之间的界面渗透。这是对JESD22A110E, 2015年7月编制委员会批准的小编辑。

JESD22-A110E.01 2021年5月 视图
PC-2700/PC-3200注册内存设计规范修订2.2

31日发布。项目2029.04本修订仅包含术语更新。

MODULE4.20.7 2021年5月 视图
用于串行flash设备的重放保护单调计数器(rpmc)

本文档提供了一个称为重放保护单调计数器的附加块的要求。(RPMC)重放保护为提供额外的安全性提供了一个构建块。此块需要在串行Flash设备和串行Flash控制器中进行修改。该标准为重放受保护的单调计数器操作定义了新的命令。支持RPMC的设备可以支持本标准中定义的这些新命令。

JESD260 2021年4月 视图
串行flash复位信令协议

本标准适用于SoC、ASIC、ASSP和FPGA开发人员或对合并用于串行Flash设备硬件复位的信令协议感兴趣的供应商。In也被有意提供符合标准的串行Flash设备的外围开发人员或供应商使用。这个标准定义了一个信令协议,允许主机在没有专用硬件复位引脚的情况下复位从机串行Flash设备。1775.06项目。

JESD252.01 2021年4月 视图

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