近期发表的文献

标题 文档# 日期 细节
安全串行闪存总线事务

本标准描述了用于支持串行存储器设备上的安全Flash操作的SPI总线事务。JESD216中描述的片上SFDP数据库已被修订,以包括有关安全事务的详细信息。此选票不描述SFDP修订或安全数据包结构。

JESD254 2022年12月 视图
cie 127-2007总通量测量与冷却表面暴露的led热测量相结合的指南

本文件旨在与JESD51-50系列标准结合使用,特别是与JESD51-51(带有暴露冷却表面的发光二极管实际热阻和阻抗测量电气测试方法的实施)文件一起使用。本文件着重于led总辐射通量的测量与led热特性的测量相结合:提供了CIE 127-2007文件建议的实施指南。

JESD51-52A 2022年11月 视图
温度、偏压和使用寿命

该测试用于确定偏置条件和温度随时间对固态器件的影响。它以一种加速的方式模拟设备的运行状况,主要用于设备鉴定和可靠性监测。一种使用短时间高温偏置寿命的形式,通常称为老化,可用于筛查与婴儿死亡率相关的故障。关于老化的详细使用和应用不在本文讨论范围之内。

JESD22-A108G 2022年11月 视图
钢丝粘接拉力试验方法

该测试方法提供了一种方法,用于确定与模具或封装粘接表面结合的导线及其相应互连的强度和失效模式,并可在预封装或后封装设备上进行。

JESD22-B120 2022年11月 视图
汽车固态硬盘(SSD)设备标准

该标准定义了主要针对汽车应用的固态硬盘(SSD)的接口参数、信令协议、环境要求、包装和其他特性的规范。

JESD312 2022年11月 视图
客户环境合规声明偏差通知

当供应商意识到他们提供或提供给客户的产品环境符合性声明存在错误,可能导致客户对产品是否符合法律要求得出错误结论时,就会调用此标准。

JESD262 2022年11月 视图
表征预smt球栅阵列包中空隙的试验方法

本出版物概述了焊料空泡类型,概述了当前用于预smpt焊料空泡表征和潜在限制的计量和测试方法,并规定了数据收集的抽样策略和纠正措施的公差指南。

JESD217A.01 2022年11月 视图
电子设备封装的描述性标识系统

本标准为JEDEC固态技术协会制定了电子设备封装指示器的生成要求。本规定旨在确保以尽可能统一的方式提出这些标志。11.2项目-1002。
注意,如果您在2022年12月16日之前下载了此文档,请丢弃并重新查看,之前的版本包含格式问题。

JESD30J 2022年11月 视图
用于测量具有暴露冷却表面的发光二极管的实际热阻和阻抗的电气测试方法的实施

本文件的目的是说明如何通过物理测量最好地识别led热指标和其他热相关数据,使用为封装半导体器件热测试定义的成熟测试程序(由JEDEC发布和维护)和为光源特性定义的测试程序(由CIE -国际照明委员会发布和维护)。

JESD51-51A 2022年11月 视图
单芯片和多芯片,单pn结和多pn结发光二极管(led)热测量方法综述

本文档概述了对构建在单个或多个芯片上的高功率发光二极管(led)进行有意义的热测量所必需的方法,每个芯片具有一个或多个pn结。实际的方法组件包含在单独的详细文档中。

JESD51-50A 2022年11月 视图
串行NOR安全硬件抽象层

该标准提供了NOR加密安全硬件抽象层(HAL)的全面定义。它还提供了设计指南和参考软件,以减少设计开销,并促进安全存储设备的第二次采购。它不会试图标准化与NOR设备中与加密安全功能无关的任何其他交互。

JESD261 2022年11月 视图
多芯片封装(MCP)和离散e•MMC, e•2MMC和UFS

项目140.07 b。
本节提供与Flash (NOR和NAND)、SRAM、PSRAM、LPDRAM、USF等混合存储技术的多芯片封装(MCP)和堆叠芯片规模封装(SCSP)相关的电接口项目。这些项目包括单个封装封装的模对模堆叠、包对包或包中模块技术等。本节还包含各种存储器技术的硅片序列信息,以帮助存储器子系统或完整的存储器堆栈解决方案的设计和电气优化。

MCP3.12.1 2022年11月 视图
注册-塑料底部网格,阵列球,0.50毫米间距矩形系列

指示器:PBGA-B # [#] I0p5……交叉参考:DR4.5

mo - 276 s 2022年11月 视图
静电放电敏感器件操作要求

本标准适用于静电放电大于100伏人体模型(HBM)和200伏带电设备模型(CDM)易损坏的设备。

JESD625C 2022年10月 视图
标准制造商识别码

制造商标识码由一个或多个8位字段定义,每个字段由7个数据位加上1个奇偶校验位组成。制造商识别码由JEDEC办公室分配、维护和更新。此识别码的意图是,它可以在任何需要数字领域时使用,例如硬件、软件、文档等。若要查询身份码,请转至//www.ljosalfur.com/Home/MIDCODE_request.cfm

JEP106BF 2022年10月 视图
标准- ddr5262引脚SODIMM连接器性能标准

该标准定义了SODIMM DDR5连接器的形式、配合和功能,用于支持传输速率为6.4 GT/S及以上通道的模块。它包含了与标称厚度为1.20 mm的模块相匹配的一体式连接器的机械、电气和可靠性要求。本文档旨在提供性能标准,使连接器、系统设计人员和制造商能够在客户端和服务器平台上构建、验证和使用SODIMM DDR5连接器。-214年代11.14项

ps - 006 a 2022年10月 视图
led热测试术语,定义和单位术语表

本文档提供了LED热测量领域常用术语和定义的统一集合。本文提供的术语和定义超出了在JESD51系列文件中使用的术语和定义,特别是在JESD51-13中,以包括在led光输出测量领域中其他经常使用的术语和定义。这里使用的关于光输出测量的定义、符号和表示法与JESD77C中定义的一致。1和CIE(国际照明委员会)定义的标准,特别是在国际照明词汇,CIE S 017/E:2011 ILV和CIE 127-2007文件中,以及来自固态照明行业的其他标准化机构的其他相关标准,例如ANSI/IESNA RP 16-05。

JESD51-53A 2022年10月 视图
标准- DDR5 288引脚U/R/LR DIMM连接器性能标准,DDR5

该标准定义了支持传输速率高达6.4 GT/S通道的U/R/LR模块的DDR5连接器的形式、配合和功能。它包含了与标称厚度为1.27 mm的模块相匹配的连接器的机械、电气和可靠性要求。本文档的目的是提供性能标准,使连接器、系统设计人员和制造商能够在客户端和服务器平台上构建、验证和使用DDR5连接器。-213年代11.14项

ps - 005 b 2022年10月 视图
系统级ESD第三部分:ESD测试回顾及对系统高效ESD设计的影响(SEED)

本白皮书介绍了系统ESD现场事件和空气放电测试方法的最新知识。IEC 61000-4-2(2008)和ISO 10605 ESD标准的测试经验表明,测试方法及其范围有一系列不同的解释。这往往会导致测试方法的误用和测试结果的高不确定性。本白皮书旨在解释所观察到的问题,并对ESD测试标准提出改进建议,并使之与SEED IC/PCB协同设计方法相关联。

JEP164 2022年10月 视图
PMIC50x0电源管理IC规范,版本1.83

PMIC5000, PMIC5010用于内存模块应用的稳压器件的定义。项目325.29 d。小编辑修订,见附件。

JESD301-1A.01 2022年10月 视图
PMIC5100电源管理IC标准,Rev 1.03

该标准定义了用于内存模块应用的PMIC设备的接口参数、信令协议和特性的规范。PMIC5100指的是本文档中指定的器件。其目的是为PMIC5100器件提供一致性、源的多样性、消除混淆、简化器件规格和易于使用的标准。项目336.01摄氏度

JESD301-2 2022年10月 视图
注册-塑料底部网格阵列球,0.80毫米X 0.65毫米螺距矩形系列封装

指示器:PBGA-B # [#] _I0p65……
项目:11.11-1026,访问STP文件MO-311E
交叉参考:DR4.5

mo - 311 f 2022年10月 视图
建立DRAM设备x射线总剂量限制的试验方法

该测试方法是通过测量设备受到x射线剂量照射后的刷新时间tRef退化来确定dram的总剂量极限的标准化程序。此测试方法适用于任何包含DRAM芯片或任何嵌入式DRAM结构的封装设备。本标准中没有描述一些间接测试方法,如总剂量诱导的存取晶体管泄漏变化的晶圆级表征,但只要建立良好的相关性,是允许的。

JESD22-B130 2022年9月 视图
DDR5 SPD (Serial Presence Detect)内容版本1.1

本标准描述了所有DDR5内存模块的串行存在检测(SPD)值。在这种情况下,“模块”适用于内存模块,如传统的双列直列内存模块(dimm)或焊接主板应用程序。SPD数据提供了关于内存通道上所有模块的关键信息,并被系统的BIOS用于正确地初始化和优化系统内存通道。

JESD400-5A 2022年9月 视图
Pod15 - 1.5 v伪开漏I/O

术语更新。该标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.5 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.5 V伪开漏接口,也称为POD15,主要用于与GDDR4和GDDR5 SGRAM设备通信。135.01项

JESD8-20A.01 2022年8月 视图
SiC功率器件的dv/dt鲁棒性评估指南1.0版

本文件提供了应力程序、一般失效标准和文档指南,以便对dv/dt的稳健性进行演示、评估和记录。本文档给出了可以使用的测试设置和相应的测试条件的示例。此外,还解释了设备制造商可以选择适当的测试设置的标准。

JEP190 2022年8月 视图
JEDEC模块边带总线

该标准定义了下一代内存解决方案的系统管理总线的假设;涵盖接口协议,集线器设备的使用,以及适用于这些用途的电压。2260.56项目。

JESD403-1B 2022年8月 视图
注册-塑料底部网格阵列球,0.65毫米间距矩形系列封装

指示器:PBGA-B # [#] _I0p65……项目:11.11-1024,访问STP文件的MO-246I交叉引用:无

mo - 246 - i 2022年8月 视图
注册-塑料底部网格阵列球,0.40毫米间距矩形系列封装

项目:11.1006标识符:PBGA-B#[#}_I0p4…

mo - 352 a 2022年8月 视图
注册-塑料多连接器32脚,1.00毫米间距19.35毫米x 21.00毫米插座

项目11.14-209标识:PMXC-G32[39]_1p0- r19p35x21p0z3p2 - n23p4t#

所以- 031 a 2022年8月 视图
注册-塑料底部网格阵列球,0.75毫米x 0.73毫米间距矩形系列封装

项目11-993指示符:PBGA-B#[#]_I0p73…

mo - 353 a 2022年8月 视图
配准-硅底部栅极阵列柱,0.048毫米x 0.055毫米螺距方形封装

项目:11.4-996EDesignator: SBGA-M7775[23828]_D0p073…项:11.4 -996年访问po - 349a的STP文件交叉参考:DR4.26

mo - 349 a.01 2022年8月 视图
注册-塑料多法兰安装矩形系列

项目11.10-460指示器:PMFM K#_I…

- 247 f 2022年8月 视图
注册-塑料多小轮廓,1.14毫米间距,15.40毫米体宽,矩形系列封装

项目:11.11-1023指示器:PMSO-E#_I1p14-…

mo - 354 a 2022年8月 视图
DDR5更快

该标准定义了DDR5 SDRAM规范,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。本标准的目的是为x4、x8和x16 DDR5 SDRAM设备定义符合JEDEC标准的8 Gb到32 Gb的最低要求集。本标准是基于DDR4标准(JESD79-4)和DDR、DDR2、DDR3和LPDDR4标准(JESD79、JESD79-2、JESD79-3和JESD209-4)的某些方面创建的。项目1848.99。

JESD79-5B 2022年8月 视图
通用闪存(UFS)基于文件优化(FBO)扩展,1.0版

本标准规定了UFS电接口和存储设备的扩展规范。本文档描述了UFS规范中称为基于文件优化(FBO)的扩展特性。本文还详细介绍了如何利用FBO在UFS设备中获得更高的性能。

JESD231 2022年8月 视图
通用闪存存储,版本4.0

本文档取代了所有过去的版本,但JESD220E, 2020年1月(V 3.1)仅供参考。本标准规定了UFS电接口和存储设备的特性。这些特征包括低功耗、高数据吞吐量、低电磁干扰和优化大容量内存子系统效率。UFS电接口基于MIPI M-PHY规范的高级差动接口,该规范与MIPI UniPro规范一起形成了UFS接口的互连。

JESD220F 2022年8月 视图
通用闪存存储主机控制器接口(UFSHCI), 4.0版本

本标准描述了UFS (Universal Flash Storage)主机控制器接口(HCI)的功能规范。UFSHCI的目标是提供一个统一的接口方法来访问UFS硬件功能,这样就可以为主控制器提供一个标准/通用的驱动程序。通用驱动程序可以与来自任何供应商的UFS主控制器一起工作。该标准包括系统软件和主控制器硬件之间的硬件/软件接口的描述。它适用于硬件设计人员、系统构建人员和软件开发人员。本标准是通用闪存(UFS)的配套文件。假定读者熟悉[UFS]、[MIPI-UNIPRO]和[MIPI-M-PHY]。206.25项

JESD223E 2022年8月 视图
DDR5 SODIMM Raw卡附录b 1.0版本

本附件JESD309-S0-RCB, DDR5小轮廓双内联内存模块,带0位ECC (EC0 SODIMM)原始卡B附件”定义了x8,2 Package Ranks DDR5 NECC SODIMM的设计细节。DDR5 SODIMM的共同特征,如连接器引脚,可以在JESD309, DDR5小轮廓双Inline内存模块(SODIMM)通用标准中找到。

JESD309-S0-RCB 2022年8月 视图
电子固态晶圆片、骰子和器件的长期储存指南

本出版物研究了晶圆、骰子和封装固态器件的LTS要求。用户应评估并选择最佳实践,以确保其产品将保持接收设备的完整性,并将与年龄和存储相关的退化影响降至最低。

JEP160A 2022年8月 视图
DDR5 UDIMM Raw卡附件B

本附件JESD308-U0-RCB, DDR5无缓冲双内存条(UDIMM)原始卡B附录定义了x8,2包级DDR5 UDIMM的设计细节。DDR5 UDIMM的共同特征,如连接器引脚,可以在JESD308, DDR5无缓冲双内联内存模块(UDIMM)通用标准中找到。2265.11项

JESD308-U0-RCB 2022年7月 视图
DDR5 UDIMM Raw卡附件A

本附件JESD308-U0-RCA, DDR5无缓冲双内联内存模块(UDIMM)原始卡a附件定义了x8,1包级DDR5 UDIMM的设计细节。DDR5 UDIMM的共同特征,如连接器引脚,可以在JESD308, DDR5无缓冲双内联内存模块(UDIMM)通用标准中找到。2265.13项

JESD308-U0-RCA 2022年7月 视图
DDR5 UDIMM Raw卡附件A

本附件JESD308-U0-RCA, DDR5无缓冲双内联内存模块(UDIMM)原始卡a附件定义了x8,1包级DDR5 UDIMM的设计细节。DDR5 UDIMM的共同特征,如连接器引脚,可以在JESD308, DDR5无缓冲双内联内存模块(UDIMM)通用标准中找到。2265.13项

JESD308-U0-RCA 2022年7月 视图
DDR5 UDIMM Raw卡附件E

本附件JESD308-U4-RCE, DDR5无缓冲双内联内存模块(UDIMM)与4位ECC (EC4 SODIMM) Raw卡E附录”定义了x8,2 Package Ranks DDR5 ECC UDIMM的设计细节。DDR5 UDIMM的共同特征,如连接器引脚,可以在JESD308, DDR5无缓冲双内联内存模块(UDIMM)通用标准中找到。2265.12项

JESD308-U4-RCE 2022年7月 视图
DDR5 UDIMM Raw Card附件C

本附件JESD308-U0-RCC,“DDR5无缓冲双Inline内存模块(UDIMM)原始卡C附件”定义了x16,1包排名DDR5 UDIMM的设计细节。DDR5 UDIMM的共同特征,如连接器引脚,可以在JESD308, DDR5无缓冲双内联内存模块(UDIMM)通用标准中找到。2265.08项

JESD308-U0-RCC 2022年7月 视图
Spd5118集线器和串行存在检测装置标准

该标准定义了接口参数、信令协议的规范,以及用于内存模块应用的DDR5串行存在检测EEPROM集线器功能(SPD5集线器)和集成温度传感器(TS)的功能。集线器特性允许将本地总线与控制器主机总线隔离。名称SPD5118或通用术语SPD5集线器是指本标准规定的设备。委员会项目600.02A

JESD300-5B 2022年7月 视图
注册-塑料双小轮廓,1.00毫米间距,5.48毫米宽矩形系列封装

PDSO-G10_I1p)…项目-1005 - 11.11

mo - 351 a 2022年6月 视图
Pod125 - 1.25 v伪开漏I/O

编辑术语更新。该标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.25 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.25 V伪开漏接口,也称为POD125,主要用于与GDDR6 SGRAM设备通信。

JESD8-30A.01 2022年6月 视图
Pod135 - 1.35 v伪开漏I/O

编辑,术语更新。该标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.35 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.35 V伪开漏接口,也称为POD135,主要用于与GDDR5或GDDR5M SGRAM设备通信。146.01 b项

JESD8-21C.01 2022年6月 视图
DDR5 SODIMM原卡附件E

本附件JESD309-S4-RCE, DDR5小轮廓双列直插内存模块与4位ECC (EC4SODIMM)原始卡E附录”定义了x8,2 Package Ranks DDR5 ECC SODIMM的设计细节。DDR5 SODIMM的共同特征,如连接器引脚,可以在JESD309, DDR5小轮廓双Inline内存模块(SODIMM)通用标准中找到。

JESD309-S4-RCE 2022年6月 视图

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