单芯片和多芯片,单pn结和多pn结发光二极管(led)热测量方法综述

JESD51-50A

发布日期:2022年11月

本文档概述了对构建在单个或多个芯片上的高功率发光二极管(led)进行有意义的热测量所必需的方法,每个芯片具有一个或多个pn结。实际的方法组件包含在单独的详细文档中。

委员会(s):JC-15

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