移动内存：LPDDR，宽I/O

宽I/O＆宽I/O 2

Wide I/O 2于2014年9月出版，在宽I/O中提供了显着提高I/O的速度，同时保留了通过硅的垂直堆叠（TSV）架构和优化的包装。这些特性位置均匀的I/O 2结合在一起，以提供移动设备（例如智能手机，平板电脑和手持游戏机）所需的不断增加的速度，容量和功率效率。下载JESD229-2。

宽I/O 2提供了以前版本的标准版本的内存带宽（最多68Gbps），但在较低的功耗（更好的带宽/瓦）中，更改为1.1V电源电压。从包装的角度来看，宽的I/O 2模具被优化为堆叠在芯片（SOC）上的系统之上，以最大程度地减少功耗和足迹。

宽I/O 2移动DRAM是通过宽I/O出版的突破性技术的扩展。就像切换到多核处理器大大提高了总体计算机速度而无需跳到新的流程节点一样，垂直堆叠的架构允许宽的I/O 2接口交付四倍的LPDDR4 DRAM带宽大约四分之一。I/O速度。

随着LPDDR4的最新出版物，JEDEC的这两个新标准为设计师提供了一系列移动存储解决方案，从而最大程度地灵活。使用水平体系结构的设计师可以选择LPDDR4，而使用垂直体系结构的人员则得到了宽I/O。2。在任何一种情况下，委员会都致力于提供市场所需的内存性能。

JC-42.6于2011年12月发布，宽I/O移动DRAM是一项突破性技术，它将满足行业对整合水平的需求以及提高的性能，带宽，潜伏期，功率，重量和外形的需求。下载JESD229宽I/O单数据速率（SDR）。

宽I/O移动DRAM使用芯片级三维（3D）通过硅通过（TSV）互连和内存芯片直接堆叠在芯片上（SOC）上的系统上。宽I/O特别适合需要增加内存带宽高达17Gbps的应用程序，例如3D游戏，高清视频（1080p H264视频，PICO投影），同时运行的应用程序等。，智能手机，平板电脑，手持游戏机和其他高性能移动设备的能源效率和小尺寸。