近期发表的文献

标题 文档# 日期 细节
注册-用于汽车SSD连接器,电缆安装的外壳形式因素

指示器:PBXC-K4_D # # # -MR36p05x14p5Z10p25-HS
项目:11.14-210,访问SO-029A的STP文件

交叉参考:MO-348

所以- 029 a 2022年1月 视图
功率半导体器件中大地宇宙射线诱导破坏效应测量的试验程序

本测试方法定义了地面破坏性*单事件效应(SEE)的要求和程序,例如,单事件击穿(SEB),单事件闭锁(SEL)和单事件门破裂(SEGR)测试。当使用加速器产生核子束时,这是有效的;1)能量至少为150 MeV的单能质子或单能中子,或2)来自散裂谱的最大能量至少为150 MeV的中子。这种测试方法不适用于使用比质子重的粒子束的测试。

*由于宇宙辐射对地面应用的影响,这种测试方法解决了与JESD89无损SEE测试不同的风险。

JEP151A 2022年1月 视图
数据转换器的串行接口

这是对JESD204C的一个小的编辑更改,详细信息可以在附件a中找到。该标准描述了数据转换器和逻辑设备之间的序列化接口。它包含规范信息,使设计人员能够实现与本文档所涵盖的其他设备通信的设备。信息部分包括澄清和举例说明标准。项目192.02 b。

JESD204C.01 2022年1月 视图
DDR5缓冲区定义(DDR5DB01) - Rev. 1.1

该标准定义了用于DDR5 LRDIMM应用程序上驱动DQ和DQS网络的DDR5数据缓冲区的特性和功能、DC和AC接口参数和测试负载的标准规范。其目的是为DDR5DB01(见注)逻辑器件提供一个标准,以实现一致性、源的多样性、消除混淆、简化器件规范和易于使用。项目323.98 k

jesd82 - 521 2021年12月 视图
横向GaN功率转换器件数据表中指定瞬态Off-State耐压稳健性指示器指南1.0版

本指南描述了在横向GaN功率转换器件的数据表中指定瞬态脱态耐电压稳健性指示器的不同技术。本指南不传达任何提出的规范类型的首选项,也不处理数据表的格式。本指南既不指示也不要求在生产测试中使用数据表参数,也不指定如何获得这些值。

JEP186 2021年12月 视图
在数据表中表示SIC mosfet开关损耗的指南

本文档描述了测量和/或设置参数对功率半导体开关开关损耗的影响;主要关注碳化硅MOSFET的导通损耗。在关断损耗方面,SiC mosfet的行为与现有的硅基功率mosfet相似,因此在典型的数据表中得到了充分的表示。

JEP187 2021年12月 视图
NVDIMM内存设备(BEM)备用能源模块标准

本标准规定了备用能源模块(BEM)的功能要求,本标准以下简称BEM。本模块应使用为行业定义存储阵列控制卡和NVDIMM-n提供备用电源。除非另有说明,所有标准适用于所有操作条件。2279.03项

JESD315 2021年12月 视图
注册-塑料底部网格阵列球,0.35毫米x 0.40毫米螺距矩形系列封装

指示器:PBGA-B # [#] _I0p35……项11 - 998

mo - 350 a 2021年11月 视图
半导体晶圆片及模具背面外观检查

这种检查方法适用于产品半导体晶圆和芯片组装前。该测试方法定义了执行标准化外部视觉检查的要求,是一种非侵入性和非破坏性的检查,可用于资格鉴定、质量监控和批量验收。

JESD22-B118A 2021年11月 视图
Nand闪存接口互操作性

该标准由JEDEC和开放NAND闪存亚博收网行动接口工作组(以下简称ONFI)联合开发。该标准定义了一个标准的NAND闪存设备接口互操作性标准,为系统设计提供了支持异步SDR、同步DDR和Toggle DDR NAND闪存设备的方法,这些设备在JEDEC和ONFI成员实现之间可互操作。

JESD230F 2021年10月 视图
为ddr2 rdimm应用程序定义1.8 v可配置注册缓冲区

本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTU32866注册缓冲区的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规格。其目的是为SSTU32866(见注)逻辑器件提供一个标准,以实现一致性、源的多样性、消除混淆、简化器件规范和易于使用。这是一个较小的编辑修改,如附件a所示。

JESD82-10A.01 2021年10月 视图
为ddr2 rdimm应用程序定义sstua32s865和sstua32d865 28位1:2注册缓冲区

该标准定义了直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规范,用于定义SSTUA32D865和SSTUA32D865注册缓冲区,具有2 * 4或类似高密度DDR2 RDIMM应用的奇偶校验。这是一个小的编辑修改,如附件a所示。

JESD82-19A.01 2021年10月 视图
注册- DDR5内存微电子组装的运输和处理托盘

指示器:N / A
项目:11.5-997,访问CO-036B的STP文件
交叉引用:无

有限公司- 036 b 2021年10月 视图
注册-电池单元R/A T/H型连接器,1.2毫米间距

指示器:PSXC-P6_I1p2-R11p6x5p85Z2p0-R0p3x0p31H1p16
项目:11.14-198,访问SO-026A的STP文件
交叉引用:无

所以- 026 a 2021年10月 视图
注册-电池单元R/A SMT型连接器,1.2毫米间距

指示器:PSXC-L6_I1p2-R11p6x5p85Z2p07-R0p3x0p6ET0p07
项目:11.14-198,访问SO-028A的STP文件
交叉引用:无

所以- 028 a 2021年10月 视图
为ddr2 rdimm应用定义1.8 v可配置注册缓冲区

本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTUB32868注册缓冲区的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规范。SSTU32S2868表示单芯片实现,SSTU32D868表示双芯片实现。这是一个较小的编辑修改,如附件a所示。

JESD82-14A.01 2021年10月 视图
sstua32866 1.8 v可配置注册缓冲区的定义与奇偶校验ddr2 rdimm应用程序

本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTUA32866注册缓冲区的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规格。其目的是为SSTUA32866(见注)逻辑器件提供一个标准,以实现一致性、源的多样性、消除混淆、简化器件规范和易于使用。这是一个较小的编辑修改,如附件a所示。

JESD82-16A.01 2021年10月 视图
用于堆叠DDR内存应用的sstv16859 2.5 v, 13位到26位sstl_2注册缓冲区定义标准:

本标准定义了用于堆叠DDR DIMM应用的SSTV16859 13位至26位SSTL_2注册缓冲区定义的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规范。目的是为SSTV16859逻辑器件提供一个标准,以实现一致性、源的多样性、消除混淆、简化器件规范和易于使用。这是一个小的编辑修订,见文件附件a。

JESD82-4B.01 2021年10月 视图
定义SSTU32865注册缓冲区与奇偶校验为2R x 4ddr2rdimm应用程序

该标准提供了适合在DDR2 rdimm上使用的28位1:2注册驱动程序的功能定义、ballall配置和包轮廓、信号定义和输入/输出特性。SSTU32865将两个SSTU32864器件(在JESD82-7中定义)的功能等效集成到单个器件中,从而通过四种配置缓解了布局和单板设计的限制,特别是在高密度rdimm(如双排)上。此外,还提供了可选的奇偶校验函数的使用,允许在其22个数据输入中检测和报告奇偶校验错误。JESD82-9指定了一个160针薄轮廓,细间距球栅阵列(TFBGA)封装。这是一个较小的编辑修改,如附件a所示。

JESD82-9B.01 2021年10月 视图
注册-电池电池线侧连接器,1.2毫米间距

指示器:pbxc - q6_i1p2 - r7p9x4p25z1p58项目:11.14-199,AccessSO-027A的STP文件交叉引用:无

所以- 027 a 2021年9月 视图
光束加速软误差率试验方法

该测试用于确定固态易失性存储器阵列和双稳态逻辑元件(例如,触发器)的地面宇宙射线软误差率(SER)灵敏度,通过测量设备在已知通量的中子或质子束中照射时的误差率。该加速试验的结果可用于在给定的地球宇宙射线辐射环境下估计地球宇宙射线诱导的SER。该测试不能用于投射α粒子诱导SER。

JESD89-3B 2021年9月 视图
附录1到JESD251 -可选x4四路I/O与数据频闪灯

附录的目的是向JESD251, xSPI标准添加一个可选的4位总线宽度(x4)。xSPI接口目前支持x1接口,该接口作为连接传统SPI功能的桥梁,x8接口旨在实现比传统SPI内存实现更高的总线性能。1775.15项目。这是对JESD251-1 2018年10月的编辑修订

jesd251 - 1.01 2021年9月 视图
半导体器件中阿尔法粒子和地球宇宙射线诱发软误差的测量和报告

本规范定义了集成电路地面软误码率(SER)测试和结果报告的标准要求和程序。描述了实时(非加速)和加速测试过程。在地面和地面高度,主要的辐射源包括来自封装和芯片材料中的放射性同位素杂质的宇宙射线辐射和α粒子辐射。对deviceís SER的全面评估是完整的,只有当完成了非加速测试,或者已经获得了α粒子成分和宇宙辐射成分的加速SER数据。

JESD89B 2021年9月 视图
注册-塑料,超,超薄,细Pitch,双小轮廓,平面,含铅包装。(u, x1, x2) f-psof, hx2-psof。

项目-459 - 11.10

mo - 293 b 2021年9月 视图
注册时钟驱动程序定义(ddr5rcd01)

本文档定义了用于DDR5 RDIMM和LRDIMM应用程序上驱动地址和控制网络的DDR5注册时钟驱动程序(RCD)定义的DC接口参数、开关参数和测试负载的标准规范。DDR5RCD01设备ID为DID = 0x0051。

jesd82 - 511 2021年8月 视图
商用和军用半导体器件分销商的一般要求

本标准确定了提供商业和军事产品的分销商的一般要求。本标准适用于所有制造商生产的所有分立半导体、集成电路和混合电路,无论是封装的还是晶圆/模具形式的。本文件中定义的要求仅适用于所有权仍属于经销商或制造商的产品。

JESD31F 2021年8月 视图
SSD设备的机箱形式因子,版本1.0

本文档明确了可用于各种SSD设备的机框的外形:上、下机框的轮廓,3个用于安装在系统上的螺钉孔,以及上机框上用于锁住连接器的两个卡孔。318.06项目。这是一个小的编辑修订,详情见附件D。

JESD253.01 2021年8月 视图
XFM设备,1.0版

本标准规定了XFM设备的机械和电气特性。这些特性包括封装尺寸、引脚布局、信号分配、电源电压、电流和PCIe接口的电气特性。

JESD233 2021年8月 视图
复制精确的制造过程

本出版物定义了精确复制过程(CEP)匹配、实时过程控制、监控和CEP持续评估的需求。给出了对输入、过程控制、程序、过程指标、人为因素、设备/基础设施和匹配输出的关键要素要求。制造商、供应商及其客户可以使用这些方法在业务协议的约束下定义工艺转移的要求。

JEP185 2021年8月 视图
alpha源加速软误差率的测试方法

该测试方法是作为标准化程序提供的,用于通过测量器件被表征的固体阿尔法光源照射时的误差率来确定固态易失性存储器阵列和双稳态逻辑元件(例如触发器)的阿尔法粒子软误差率(SER)灵敏度。

JESD89-2B 2021年7月 视图
实时软误差率的测试方法

该测试用于确定固态易失性存储器阵列和双稳态逻辑元件(例如触发器)的软错误率(SER),以纠正在地面环境中使用的只需重新读取或重写即可的错误。它模拟设备的运行条件,并用于鉴定、表征或可靠性监测。本试验在环境条件下进行,没有人为引入辐射源。

JESD89-1B 2021年7月 视图
以配合为单位计算故障率的方法

本标准建立了计算fit单位故障率的方法,通过使用不同程度的详细数据,从而可以从几乎任何数据集获得结果。目的是为故障率的计算方法提供参考。

JESD85A 2021年7月 视图
高温贮存寿命

该测试适用于所有固态器件的评估、筛选、监测和/或鉴定。高温存储测试通常用于确定时间和温度在存储条件下对热激活故障机制和固态电子设备(包括非易失性存储设备(数据保留故障机制)的时间到故障分布的影响。采用Arrhenius加速方程对热激活失效机制进行建模。在测试过程中,在没有施加电气条件的情况下使用加速应力温度。这个测试可能是破坏性的,取决于时间,温度和包装(如果有的话)。

JESD22-A103E.01 2021年7月 视图

页面

Baidu