建立DRAM设备x射线总剂量限制的试验方法

JESD22-B130

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该测试方法是通过测量设备受到x射线剂量照射后的刷新时间tRef退化来确定dram的总剂量极限的标准化程序。此测试方法适用于任何包含DRAM芯片或任何嵌入式DRAM结构的封装设备。本标准中没有描述一些间接测试方法，如总剂量诱导的存取晶体管泄漏变化的晶圆级表征，但只要建立良好的相关性，是允许的。

委员会(s):jc - 14.1

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