宽带隙功率半导体

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是最成熟的宽带隙(WBG)功率半导体材料，为实现更高性能、更紧凑和节能的电源系统提供了巨大的潜力。

随着WBG功率半导体的应用范围从汽车到空间电子，对标准化的需求也在增长。功率GaN和SiC半导体的行业领导者，以及WBG功率器件的潜在用户，以及测试和测量设备供应商正在JEDEC内部合作，制定指导方针和标准，以扩大WBG功率半导体的采用。来自大学和国家实验室的技术专家也提供了投入。目前关注的领域包括:

• 可靠性和确认程序
• 数据表要素及参数
• 测试和表征方法