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本附件JESD309-S4-RCD, DDR5小轮廓双列直插内存模块与4位ECC (EC4 SODIMM)原始卡D附录定义了x8,1 Package Rank DDR5 SODIMM与4位ECC的设计细节。DDR5 SODIMM的共同特征，如连接器引脚，可以在JESD309, DDR5小轮廓双Inline内存模块(SODIMM)通用标准中找到。

术语更新，见附件。该标准定义了固态硬盘的JEDEC要求。对于每一类已定义的固态硬盘，标准都定义了使用条件和相应的耐久性验证要求。虽然耐久性是根据该级别的标准使用条件评定的，但该标准还规定了制造商和购买者之间商定的可能的额外使用条件的要求。修订A包括SSD容量的进一步信息。303.19、303.20、303.21、303.22、303.23、303.26、303.27、303.28、303.32

JEDEC董事会负责建立适当的委员会来开展标准化活动。yabo2018这些委员会要yabo2018么负责服务，要么负责产品。每个委员会的主要职能是提出JEDEC标准，并制定政策、程序、格式和其他文件，然后提交董事会采取行动或批准。本出版物确定了董事会设立的服务和产品委员会，并界定了其范围。yabo2018

该标准定义了288pin, 1.1 V (VDD)，无缓冲，双数据速率，同步DRAM双直列内存模块(DDR5 SDRAM udimm)的电气和机械要求。这些DDR5 Unbuffered dimm (udimm)用于安装在计算机中时用作主内存。2265.02 b项

第19.01号。项目1739.02E，术语更新。
本标准定义了用于内存模块应用的串行存在检测(SPD) eeprom的接口参数、信令协议和特性的规范。

版本号21.01，术语更新。本标准定义了用于内存模块应用的串行存在检测(SPD) eeprom和温度传感器(TS)的接口参数、信令协议和特性的规范。TSE2002av的名称是指本文档指定的系列器件。

本标签标准适用于所有DDR5内存模块，以全面描述该模块的关键属性。标签可以采用不干胶标签的形式，丝印在组件上，或使用另一种客户可读的格式(项目2268.02C)进行标记

撰写本文档的目的是为半导体公司的质量组织及其客户提供信息，以评估并制定安全ESD CDM级别的要求。

该标准JESD305-R8-RCC, DDR5注册双行联内存模块与8位ECC (EC8 RDIMM) Raw卡C附录，定义了x4,1 Package Rank DDR5 RDIMM与8位ECC的设计细节。DDR5 RDIMM的共同特性，例如连接器引脚，可以在JESD305, DDR5 Load Reduced (LRDIMM)和Registered Dual Inline Memory Module (RDIMM) common Standard中找到。2273.12项目。

该标准JESD305-R8-RCE, DDR5注册双行联内存模块与8位ECC (EC8 RDIMM) Raw卡E附件，定义了x8,2 Package Ranks DDR5 RDIMM与8位ECC的设计细节。DDR5 RDIMM的共同特性，例如连接器引脚，可以在JESD305, DDR5 Load Reduced (LRDIMM)和Registered Dual Inline Memory Module (RDIMM) common Standard中找到。2273.13项目。

这个标准，JESD305-R8-RCD, DDR5注册双行联内存模块与8位ECC (EC8 RDIMM) Raw卡D附件，定义了x8,1 Package Rank DDR5 RDIMM与8位ECC的设计细节。DDR5 RDIMM的共同特性，例如连接器引脚，可以在JESD305, DDR5 Load Reduced (LRDIMM)和Registered Dual Inline Memory Module (RDIMM) common Standard中找到。2273.03项

2273.16项

minor-latin;mso-ansi-language:EN-US;mso-fareast-language:EN-US;mso-bidi-language:
AR-SA">本规范定义了原始卡D的电气和机械要求，260针，1.2伏(VDD)，小轮廓，双数据速率，同步DRAM双直列内存模块(DDR4 SDRAM SO-DIMMs)。这些DDR4 so - dimm用于安装在pc、笔记本电脑和其他系统中时用作主内存 minor-latin;mso-ansi-language:EN-US;mso-fareast-language:EN-US;mso-bidi-language:
AR-SA">．2228.60项目。

指示器:pdso - n2 - i# - r# x# z# -CturET0p04项目:11.11-1000,Accesspo - 343b的STP文件交叉参考:DG4.20

指示器:PDXC-PP2-I8p9-R107p6xp15Z26p0-DD2p95x1p1
项目:11.14-208，访问SO-025B的STP文件
交叉参考:待定

指示器:PDMA-N262-I0p5-R69p6x3p7Z30p15R2p55x02p35项目:11.14-207,Accesspo - 337b的STP文件交叉参考:SO-024

本标准详细描述了用于电子器件封装的有机材料中水分扩散率和水溶性的特征块材料性能的测量程序。这两个材料特性是塑料封装表面贴装器件在暴露于湿气和经受高温焊料回流后有效可靠性性能的重要参数。

HBM3 DRAM通过分布式接口与主机计算芯片紧密耦合。接口被划分为独立的通道。每个通道都是完全独立的。通道之间不一定是同步的。HBM3 DRAM采用宽接口架构，实现高速、低功耗运行。每个通道接口维护一个以双倍数据速率(DDR)运行的64位数据总线。1837.98项目。

本测试方法定义了地面破坏性*单事件效应(SEE)的要求和程序，例如，单事件击穿(SEB)，单事件闭锁(SEL)和单事件门破裂(SEGR)测试。当使用加速器产生核子束时，这是有效的;1)能量至少为150 MeV的单能质子或单能中子，或2)来自散裂谱的最大能量至少为150 MeV的中子。这种测试方法不适用于使用比质子重的粒子束的测试。

*由于宇宙辐射对地面应用的影响，这种测试方法解决了与JESD89无损SEE测试不同的风险。

这是对JESD204C的一个小的编辑更改，详细信息可以在附件a中找到。该标准描述了数据转换器和逻辑设备之间的序列化接口。它包含规范信息，使设计人员能够实现与本文档所涵盖的其他设备通信的设备。信息部分包括澄清和举例说明标准。项目192.02 b。

本文档描述了测量和/或设置参数对功率半导体开关开关损耗的影响;主要关注碳化硅MOSFET的导通损耗。在关断损耗方面，SiC mosfet的行为与现有的硅基功率mosfet相似，因此在典型的数据表中得到了充分的表示。

本指南描述了在横向GaN功率转换器件的数据表中指定瞬态脱态耐电压稳健性指示器的不同技术。本指南不传达任何提出的规范类型的首选项，也不处理数据表的格式。本指南既不指示也不要求在生产测试中使用数据表参数，也不指定如何获得这些值。

这种检查方法适用于产品半导体晶圆和芯片组装前。该测试方法定义了执行标准化外部视觉检查的要求，是一种非侵入性和非破坏性的检查，可用于资格鉴定、质量监控和批量验收。

本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTU32866注册缓冲区的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规格。其目的是为SSTU32866(见注)逻辑器件提供一个标准，以实现一致性、源的多样性、消除混淆、简化器件规范和易于使用。这是一个较小的编辑修改，如附件a所示。