高带宽内存DRAM (HBM3)

JESD238

发布日期:2022年1月

HBM3 DRAM通过分布式接口与主机计算芯片紧密耦合。接口被划分为独立的通道。每个通道都是完全独立的。通道之间不一定是同步的。HBM3 DRAM采用宽接口架构,实现高速、低功耗运行。每个通道接口维护一个以双倍数据速率(DDR)运行的64位数据总线。1837.98项目。

委员会(s):jc - 42.2

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