微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评价指南 |
JEP184 | 2021年3月 |
本文档的范围涵盖基于sic的PECS器件,该器件具有偏置的栅极介电区域以打开和关闭器件。这通常是指MOS器件,如mosfet和igbt。在本文档中,只讨论了NMOS器件,因为这些器件在功率器件应用中占主导地位;然而,这些程序也适用于PMOS设备。 委员会(s):jc - 70.2 |
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带通硅通道(TSVS)的三维芯片堆栈:识别、评估和理解可靠性相互作用 |
JEP158 | 2009年11月 |
为了提高设备带宽、降低功耗和缩小外形尺寸,微电子制造商正在使用硅通孔(tsv)实现三维(3D)芯片堆叠。tsv芯片堆叠结合了硅和封装技术。因此,这些新结构有独特的可靠性要求。本文档是描述如何评估3D TSV硅组件可靠性的指南。 |
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排出汗液的程序:状态:重申2012年10月,2018年9月 |
JEP119A | 2003年8月 |
本文档描述了使用计算机控制仪器执行标准晶圆级电迁移加速测试(SWEAT)方法的算法。该算法需要单独的迭代技术(未提供)来计算给定目标失效时间的力电流。本文档没有指定在此过程中使用什么测试结构。然而,该算法的用户报告其有效性在直线和通孔端测试结构。在JESD87和ASTM 1259M - 96中提供了一些测试结构设计特征。 委员会(s):jc - 14.2 |
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适配器测试板可靠性测试指南 |
JEP176 | 2018年1月 |
本出版物描述了将JEDEC可靠性测试应用于需要适配器测试板进行电气和可靠性测试的集成电路的指南和推荐测试程序。这些测试经常用于将集成电路作为新产品、产品系列或正在更改的工艺中的产品进行认证。 委员会(s):jc - 14.3 |
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年度更新服务: |
JEP95来自 | 2000年1月 |
可以从JEDEC办公室订阅此更新服务。新的大纲寄给订户,插入到第95号出版物的适当部分。JEP95和更新服务可通过JEDEC订购(703)907-7540或ptanner@jedec.org. 委员会(s):JC-11 |
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应用热降额方法: |
JEP149.01 | 2021年1月 |
本出版物适用于集成电路及其相关封装在最终用途设计中的应用。综述了热降额的方法及其适用性。 |
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半导体封装的串珠式热电偶温度测量状态:重申2006年6月,2011年9月,2015年1月 |
JEP140 | 2002年6月 |
串珠式热电偶温度测量指南提供了在暴露于热漂移期间准确和一致地测量半导体封装温度的程序。该指南的应用可以包括但不限于可靠性测试室中的温度分布测量和与印刷电路板的组件组装相关的焊料回流操作。 |
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热应力试验烘箱温度的表征和监测状态:重申2019年9月 |
JEP153A | 2014年3月 |
本文件提供了表征和监测热应力试验烘箱温度的行业标准方法。本文件中描述的程序应用于确保在各种测试程序中达到并保持热应力测试条件。 |
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半导体封装中界面黏附的表征 |
JEP167A | 2020年11月 |
本文件确定了用于表征模具附着力的方法。它指导在产品或技术生命周期的哪个阶段应用哪种方法。 委员会(s):jc - 14.1 |
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芯片-封装相互作用的理解、识别和评估 |
JEP156A | 2018年3月 |
本出版物引用了一组经常推荐和接受的JEDEC可靠性压力测试。这些测试用于鉴定新的和改进的技术/工艺/产品系列,以及单个固态表面贴装产品。 |
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Cmos半定制设计指南: |
JEP116 | 1991年11月 |
专用集成电路的设计正在成为系统或产品设计的重要组成部分,但在目前的设计实践中仍然存在许多问题。本文档中的指南解释了常见的ASIC设计问题和关注点,并在可能的情况下提供了解决方案。 委员会(s):JC-44 |
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常用flash接口(cfi)识别码: |
JEP137B | 2004年5月 |
本出版物是通用Flash接口(CFI)标准JESD68的配套文档,该标准概述了设备和主机系统软件询问握手。JEP137记录了以下方面的ID代码分配:1)特定于算法的命令集和控制接口以及2)设备接口。当对这些代码列表中的任何一个进行添加时,它都将根据需要发布。如需索取身份证号码,请致电(703)907-7558与JEDEC办公室联系。 委员会(s):jc - 42.4 |
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复制精确的制造过程 |
JEP185 | 2021年8月 |
本出版物定义了精确复制过程(CEP)匹配、实时过程控制、监控和CEP持续评估的需求。给出了对输入、过程控制、程序、过程指标、人为因素、设备/基础设施和匹配输出的关键要素要求。制造商、供应商及其客户可以使用这些方法在业务协议的约束下定义工艺转移的要求。 委员会(s):jc - 14.3 |
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Ddr2内存时钟倾斜测量程序使用时钟参考板 |
JEP152 | 2007年5月 |
本文档是JC-45.1 DDR2 DIMM Clock Skew Measurement工作组的工作产品。本文档的目的是定义使用DDR2时钟参考板测量注册内存上的时钟参数的过程。本文档的目的不是设定规格值或验证要求。 |
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Ddr2 SPD解释温度范围和(自)刷新操作 |
JEP179 | 2006年6月 |
本文档的目的是解释DDR2 SDRAM (JESD79-2)在正常和超温操作67下防雷器设置(JESD21防雷器部分)的意义。 委员会(s):jc - 42.3 |
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Ddr4协议检查 |
JEP175 | 2017年7月 |
本文档的预期用途是验证和调试基于DDR4的设计。本文档包含协议检查,有时称为内存访问规则或协议违反。本文档包含一个检查列表,可以在开发的验证或调试阶段用于检查对DDR4 DRAM的访问是否符合JESD79-4B。这些检查源自JESD79-4B。31509项。 委员会(s):jc - 40.5 |
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停止使用用于设备esd鉴定的机器型号状态:重申2020年9月 |
JEP172A | 2015年7月 |
在过去的几十年里,所谓的“机器模型”(又名MM)及其在ESD组件认证中的应用被严重误解。本JEDEC文件的范围是在不降低IC组件制造ESD可靠性的情况下,提供停止使用此特定模型应力测试的证据。在这方面,本文件的目的是提供必要的技术论据,强烈建议IC认证不再使用该模型。发布的文档应该被用作在整个行业传播这一信息的参考。 委员会(s):jc - 14.3 |
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处理静电放电敏感(ESDS)设备的分配器要求:被JESD42取代,1994年3月。状态:取代 |
JEP108-B | 1991年4月 |
基于GaN HEMT的功率转换装置动态导通电阻试验方法指南1.0版 |
JEP173 | 2019年1月 |
本文档适用于GaN功率半导体和相关电力电子行业,并提供了测量GaN功率器件动态on电阻的指南。 委员会(s):jc - 70.1 |
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电子热系统水平模型的ECXML指南。XML要求 |
JEP181 | 2020年9月 |
本标准规定了供应商和最终用户之间以单一中性文件格式交换电子热系统水平仿真模型的要求。数据以符合本文档描述的XML模式的XML格式保存。 委员会(s):JC-15 |