微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评价导则 |
JEP184 | 2021年3月 |
本文档的范围涵盖了具有栅极介电区偏置的器件的基于sic的PECS器件。这通常指的是MOS器件,如mosfet和igbt。在本文档中,仅讨论NMOS器件,因为它们在功率器件应用中占主导地位;然而,程序也适用于PMOS器件。 委员会(s):jc - 70.2 |
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三维芯片堆栈与硅通孔(TSVS):识别,评估和理解可靠性相互作用 |
JEP158 | 2009年11月 |
为了增加设备带宽,降低功耗和缩小外形尺寸,微电子制造商正在使用硅通孔(tsv)实现三维(3D)芯片堆叠。芯片堆叠与tsv结合了硅和封装技术。因此,这些新结构具有独特的可靠性要求。本文档是描述如何评估3D TSV硅组件可靠性的指南。 |
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排汗程序:排汗的程序:状态:重申2012年10月,2018年9月 |
JEP119A | 2003年8月 |
本文档描述了一种用计算机控制仪器执行标准晶圆级电迁移加速测试(SWEAT)方法的算法。该算法需要单独的迭代技术(未提供)来计算给定目标时间内的力电流直至失效。本文档没有指定该过程使用什么测试结构。然而,该算法的用户报告了它在直线和通端测试结构上的有效性。在JESD87和ASTM 1259M - 96中提供了一些测试结构的设计特征。 委员会(s):jc - 14.2 |
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适配器试验板可靠性试验指南 |
JEP176 | 2018年1月 |
本出版物描述了将JEDEC可靠性测试应用于需要适配器测试板进行电气和可靠性测试的集成电路的指南和推荐的测试程序。这些测试经常用于将集成电路作为新产品、产品族或正在改变工艺的产品进行鉴定。 委员会(s):jc - 14.3 |
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年度更新服务: |
JEP95来自 | 2000年1月 |
可以从JEDEC办公室订阅此更新服务。新的大纲将发送给订阅者,以便插入第95号出版物的适当部分。JEP95和更新服务可通过JEDEC订购,电话:(703)907-7540或ptanner@jedec.org. 委员会(s):JC-11 |
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应用热降额方法: |
JEP149.01 | 2021年1月 |
本出版物适用于集成电路及其相关封装在最终用途设计中的应用。总结了热降额的方法和这种方法的适用性。 |
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半导体封装的珠状热电偶温度测量状态:重申2006年6月,2011年9月,2015年1月 |
JEP140 | 2002年6月 |
珠状热电偶温度测量指南提供了一个程序,以准确和一致地测量半导体封装在暴露于热漂移期间的温度。指南应用可以包括但不限于可靠性测试室中的温度分布测量和与印刷线路板组件组装相关的焊料回流操作。 |
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热应力试验箱温度的表征和监测状态:重申2019年9月 |
JEP153A | 2014年3月 |
本文件提供了表征和监测热应力试验烘箱温度的行业标准方法。本文件中描述的程序应用于确保在各种测试过程中达到并保持热应力测试条件。 |
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半导体封装中界面粘附的表征 |
JEP167A | 2020年11月 |
本文件确定了用于模具附着力表征的方法。它提供了在产品或技术生命周期的哪个阶段应用哪种方法的指导。 委员会(s):jc - 14.1 |
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芯片封装相互作用的理解,识别和评估 |
JEP156A | 2018年3月 |
本出版物引用了一组经常推荐和接受的JEDEC可靠性压力测试。这些测试用于鉴定新的和改进的技术/工艺/产品系列,以及单个固态表面贴装产品。 |
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Cmos半定制设计指南: |
JEP116 | 1991年11月 |
ASIC电路的设计正在成为系统或产品设计的重要组成部分,但在目前的设计实践中仍然存在许多问题。本文档中的指南解释了常见的ASIC设计问题和关注点,并在可能的情况下提供了解决方案。 委员会(s):JC-44 |
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常用flash接口(cfi)识别码: |
JEP137B | 2004年5月 |
本出版物是通用Flash接口(CFI)标准JESD68的配套文档,该标准概述了设备和主机系统软件的询问握手。JEP137文件ID代码分配为:1))算法特定的命令集和控制接口和2)设备接口。当对这些代码列表中的任何一个进行添加时,它将根据需要发布。要申请身份证号码,请致电JEDEC办公室(703)907-7558。 委员会(s):jc - 42.4 |
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精确复制制造过程 |
JEP185 | 2021年8月 |
本出版物定义了复制-精确过程(CEP)匹配、实时过程控制、监测和CEP持续评估的要求。给出了输入、过程控制、程序、过程指标、人为因素、设备/基础设施和匹配输出的关键要素要求。制造商、供应商及其客户可以使用这些方法在其业务协议的约束下定义过程转移的需求。 委员会(s):jc - 14.3 |
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Ddr2内存时钟偏度测量程序用的一个时钟参考板 |
JEP152 | 2007年5月 |
本文档是JC-45.1 DDR2 DIMM时钟偏差测量任务组的工作成果。本文档的目的是定义使用DDR2时钟参考板测量注册内存时钟参数的过程。本文档的目的不是设置规范值或验证要求。 |
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Ddr2 SPD温度范围解释和(自)刷新操作 |
JEP179 | 2006年6月 |
本文档的目的是解释DDR2 SDRAM (JESD79-2)在正常和扩展温度下SPD设置(JESD21 SPD部分)的含义67。 委员会(s):jc - 42.3 |
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Ddr4协议检查 |
JEP175 | 2017年7月 |
本文档的预期用途是对基于DDR4的设计进行验证和调试。该文档包含协议检查,有时称为内存访问规则或协议违反。本文档包含一个检查列表,可以在开发的验证或调试阶段使用,以检查对DDR4 DRAM的访问是否符合JESD79-4B。这些检查源自JESD79-4B。31509项。 委员会(s):jc - 40.5 |
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停止使用机器型号进行设备esd鉴定状态:重申2020年9月 |
JEP172A | 2015年7月 |
在过去的几十年里,所谓的“机器模型”(又名MM)及其对所需ESD组件资格的应用一直被严重误解。本JEDEC文件的范围是提供证据,证明停止使用这种特殊的模型压力测试,而不会导致IC组件制造的ESD可靠性降低。在这方面,该文件的目的是提供必要的技术论据,强烈建议不再使用该模型进行IC资格认证。发布的文档应该用作在整个行业中传播此消息的参考。 委员会(s):jc - 14.3 |
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处理静电放电敏感(ESDS)装置的分配器要求:1994年3月被JESD42取代。状态:取代 |
JEP108-B | 1991年4月 |
基于GaN HEMT的功率转换器件的动态导通电阻试验方法指南,1.0版 |
JEP173 | 2019年1月 |
本文档适用于GaN功率半导体和相关电力电子行业,为测量GaN功率器件的动态导通电阻提供指南。 委员会(s):jc - 70.1 |
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电子热系统级模型的ECXML指南。XML要求 |
JEP181 | 2020年9月 |
本标准规定了供应商和最终用户之间以单一中立文件格式交换电子热系统级仿真模型的要求。数据以XML格式保存,符合本文档描述的XML模式。 委员会(s):JC-15 |
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电子热系统级模型的ECXML指南。XML要求图式 |
JEP181_Schema_R1p0 | 2020年9月 |
与JEP181结合使用,对于用户支持,该文件是整个“XML需求模式”。 委员会(s):JC-15 |
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静电放电(esd)灵敏度测试。报告数据表上的esd耐受水平 |
JEP178 | 2021年4月 |
本文档旨在指导设备制造商开发数据表,并指导设备客户理解数据表条目。 委员会(s):jc - 14.3 |
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半导体器件的失效机制和模型 |
JEP122H | 2016年9月 |
本出版物提供了失效机制及其相关活化能或加速因子的列表,当唯一可用的数据是基于在加速应力测试条件下进行的测试时,可用于进行系统故障率估计。要使用的方法是故障率总和法。本出版物还对可靠性建模参数的选择提供了指导,即功能形式、表观热活化能值和对应力的敏感性,如电源电压、衬底电流、电流密度、栅极电压、相对湿度、温度循环范围、移动离子浓度等。 委员会(s):jc - 14.2 可供购买:163.00美元 添加到购物车 JEDEC付费会员可以登录免费访问。 |
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半二极管的正向导通时间测量-纳入eia-282-a。状态:取消 |
JEP87 | 1992年1月 |
委员会(s):jc - 22.2 |
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铸造工艺鉴定指南-寿命后端(晶圆制造现场) |
JEP001-1A | 2018年9月 |
本文档描述了用于半导体技术鉴定的后端测试和数据方法。它不给出合格或不合格值,也不推荐特定的测试设备、测试结构或测试算法。只要可能,它引用适用的JEDEC,如JESD47或其他广泛接受的需求文档标准。 委员会(s):jc - 14.2 |
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铸造工艺鉴定指南-前端晶体管级(晶圆制造基地) |
JEP001-2A | 2018年9月 |
本文档描述了用于半导体技术鉴定的晶体管级测试和数据方法。它不给出合格或不合格值,也不推荐特定的测试设备、测试结构或测试算法。只要可能,它引用适用的JEDEC,如JESD47或其他广泛接受的需求文档标准。 委员会(s):jc - 14.2 |
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铸造工艺鉴定指南-产品等级(晶圆制造基地) |
JEP001-3A | 2018年9月 |
本文档描述了用于半导体技术鉴定的封装级测试和数据方法。它不给出合格或不合格值,也不推荐特定的测试设备、测试结构或测试算法。只要可能,它引用适用的JEDEC,如JESD47或其他广泛接受的需求文档标准。 委员会(s):jc - 14.2 |
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Gddr5测量程序 |
JEP171 | 2014年8月 |
本出版物旨在告知所有行业参与者一个统一的过程,以实现跨行业的一致测量。本文档包含测试GDDR5的测量步骤。 委员会(s):jc - 42.3 |
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军用半导体器件分配器的一般要求:状态:取消 |
JEP109-C | 1995年3月 |
2001年6月被JESD31-A取代。 委员会(s):JC-13 |
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微电子术语、定义和符号词汇表:1985年6月升格至JESD99。状态:取消 |
JEP99 | 1977年7月 |
委员会(s):JC-10 |
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晶圆级电气测试用标准探针垫尺寸和布局指南:状态:取消2021年9月(JC-14.2-21-182) |
JEP128 | 1996年11月 |
本指南已被JESD241, 2021年9月取代 委员会(s):jc - 14.2 |
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保证辐射硬度的多芯片模块和混合微电路的生产和获取指南: |
JEP133C | 2010年1月 |
为保证辐射硬度(RHA)多芯片模块(mcm)和混合微电路的供应商和用户修订和扩大的出版物现已出版。本文件就如何实现、维持和确保所需的辐射硬度水平提供了指导,因为组成骰子可以有不同的硬度保证水平。它还描述了如何处理MCM/混合开发人员、采购活动或用户将遇到的各种辐射硬度情况。该指南旨在补充三个相关的性能规范:MIL-PRF-38534, MIL-PRF-38535和MIL-PRF-19500。 |
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与电子硬件的质量和可靠性有关的标准和出版物指南 |
JEP70C | 2013年10月 |
本文档收集并组织了与固态、微电子和相关行业的质量过程和方法相关的通用标准和出版物。这是为了便于在使用电子硬件时访问适用的文件。这将对质量和可靠性产生积极的影响,因为用户在设计、生产和测试零件时获得了更多的正确方法。 委员会(s):jc - 14.4 |
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电力封装系统中引线载流能力评估导则: |
JEP145 | 2003年2月 |
本出版物旨在作为建立程序、考虑和通用做法的指南,允许制造商、应用实体、系统设计人员和其他相关方定义具有半导体组件的组件和电源系统引线的当前能力限制。这是一个指导方针,而不是一个标准化的方法,它是在几年的时间里发展起来的,目的是澄清委员会成员在各自的工程职能中提出的问题。 委员会(s):JC-25 |
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恒定电流和温度应力下焊料凸点电迁移特性的导则状态:重申2011年6月 |
JEP154 | 2008年1月 |
本文档介绍了一种测试焊料凸点(包括倒装芯片封装中使用的其他类型的凸点,如锡包覆铜柱)电迁移(EM)敏感性的方法。该方法适用于Sn/Pb共晶、高Pb和无Pb焊点。该文档讨论了与EM测试相关的优点和关注点,以及数据分析的选项。 |
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表征应力诱导空化铝互连金属化的恒温时效指南:状态:重申2012年10月 |
JEP139 | 2000年12月 |
本文描述了一种用于测试微电子晶圆上铝(Al)金属化测试结构对应力诱导空洞的敏感性的恒温(等温)时效方法。该方法适用于金属化/电介质系统,其中电介质在相当高于预期使用温度的温度下沉积到金属化上,并且高于或等于金属的沉积温度。虽然这是一个晶圆测试,但它不是一个快速(每个探头少于5分钟)的测试。它旨在用于寿命预测和失效分析,而不是用于生产Go-NoGo批号检查。 委员会(s):jc - 14.2 |
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开发和记录由计算分析得出的包电气模型的指南: |
JEP126 | 1996年5月 |
本出版物为IC元件供应商提供了指南,并提供了用于记录数值模拟假设的模板。此外,本指南还建议在比较各种包或组件供应商时参考一个模型环境。该出版物应改善包模型供应商之间的沟通。该出版物应改善包模型供应商和最终用户之间的沟通。 委员会(s):jc - 15.2 |
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SiC功率器件dv/dt稳健性评估指南1.0版 |
JEP190 | 2022年8月 |
本文档提供了应力程序、一般失效准则和文档指南,从而可以演示、评估和记录dv/dt稳健性。本文档给出了可以使用的测试设置示例和相应的测试条件。此外,还解释了设备制造商可以选择适当测试设置的标准。 委员会(s):jc - 70.2 |
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电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件栅极开关不稳定性评价导则 |
JEP195 | 2023年2月 |
本文档详细阐述了JEP184中给出的关于设备参数在静态条件和接近开关条件下的长期稳定性的信息。 |
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碳化硅功率mosfet栅极氧化物可靠性和稳健性评估程序指南 |
JEP194 | 2023年2月 |
本文档提供了具有栅极氧化物或栅极电介质的基于碳化硅(SiC)的功率器件的栅极可靠性和寿命测试评估指南。 |