微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评价指南 |
JEP184 | 2021年3月 |
本文档的范围涵盖基于sic的PECS器件,该器件具有偏置的栅极介电区域以打开和关闭器件。这通常是指MOS器件,如mosfet和igbt。在本文档中,只讨论了NMOS器件,因为这些器件在功率器件应用中占主导地位;然而,这些程序也适用于PMOS设备。 委员会(s):jc - 70.2 |
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带通硅通道(TSVS)的三维芯片堆栈:识别、评估和理解可靠性相互作用 |
JEP158 | 2009年11月 |
为了提高设备带宽、降低功耗和缩小外形尺寸,微电子制造商正在使用硅通孔(tsv)实现三维(3D)芯片堆叠。tsv芯片堆叠结合了硅和封装技术。因此,这些新结构有独特的可靠性要求。本文档是描述如何评估3D TSV硅组件可靠性的指南。 |
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排出汗液的程序:状态:重申2012年10月,2018年9月 |
JEP119A | 2003年8月 |
本文档描述了使用计算机控制仪器执行标准晶圆级电迁移加速测试(SWEAT)方法的算法。该算法需要单独的迭代技术(未提供)来计算给定目标失效时间的力电流。本文档没有指定在此过程中使用什么测试结构。然而,该算法的用户报告其有效性在直线和通孔端测试结构。在JESD87和ASTM 1259M - 96中提供了一些测试结构设计特征。 委员会(s):jc - 14.2 |
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适配器测试板可靠性测试指南 |
JEP176 | 2018年1月 |
本出版物描述了将JEDEC可靠性测试应用于需要适配器测试板进行电气和可靠性测试的集成电路的指南和推荐测试程序。这些测试经常用于将集成电路作为新产品、产品系列或正在更改的工艺中的产品进行认证。 委员会(s):jc - 14.3 |
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年度更新服务: |
JEP95来自 | 2000年1月 |
可以从JEDEC办公室订阅此更新服务。新的大纲寄给订户,插入到第95号出版物的适当部分。JEP95和更新服务可通过JEDEC订购(703)907-7540或ptanner@jedec.org. 委员会(s):JC-11 |