微电子工业全球标准
JC-70时事新闻
JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了碳化硅(SiC) MOS器件偏置温度不稳定性的里程碑文件 | 2021年4月 |
JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了第一个基于碳化硅(SiC)的功率转换器件指南 | 2021年2月 |
JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了GaN功率转换器件连续开关评估的新测试方法 | 2021年1月 |
JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布GaN器件开关可靠性评估程序指南 | 2020年2月 |
JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了第一份文件:GaN HEMT动态电阻测试方法 | 2019年2月 |
新JEDEC宽带隙功率半导体委员会邀请业界参与 | 2017年12月 |
新JEDEC委员会为宽带隙功率半导体制定标准 | 2017年9月 |