JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了第一个基于碳化硅(SiC)的功率转换器件指南

美国弗吉尼亚州阿灵顿- 2021年2月2日- - - - - -JEDEC固态技术协会全球领先的微电子行业标准开发公司，宣布发布JEP183: SiC mosfet阈值电压(VT)测量指南。JEDEC的JC-70.2碳化硅小组委员会开发的第一份出版物JEP183可从电平的网站．

JEP183解决了精确测量SiC mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)阈值电压(VT)的关键问题，解决了SiC mosfet的独特行为。

JEP183中提供的阈值电压测试方法可作为测量SiC功率器件VT的通用行业指南，重点关注n通道垂直结构MOSFET技术，为SiC MOSFET市场提供了通用基准。为灵活起见，提供了三种测试方法，可用于数据表、过程控制、技术开发、最终测试和其他用途。阈值电压是评估物理刺激(如电压和/或温度应力)特征变化的关键参数。如果不精确测量VT，就不可能监测施加在器件上的应力如何改变器件特性。SiC MOSFET的SiC/SiO2界面比Si/SiO2界面更复杂，在特性变化监测方面需要仔细处理器件中的陷阱。

“JEP183推荐了精确和可重复测量SiC MOSFET VT的方法，这将有助于确保SiC器件在汽车和工业市场的成功实施，”Wolfspeed, A Cree公司动力模具产品营销工程经理兼JC-70.2小组委员会主席Jeffrey Casady博士指出。

JEDEC的JC-70委员会很高兴将JEP183添加到其不断扩大的出版物生态系统中。有了这份与SiC相关的第一份文件，我们将启动一系列指导方针，以满足行业在共同校准标准方面的需求。英飞凌科技SiC副总裁、JC-70.2小组委员会副主席Peter Friedrichs博士说。

jc - 70

JC-70成立于2017年10月，共有23家成员公司，目前拥有60多家成员公司，这强调了行业对制定通用标准的承诺，以帮助推进宽带隙(WBG)电源技术的采用。来自美国、欧洲、中东和亚洲的跨国公司和技术初创公司正在共同努力，为业界带来一套WBG功率半导体的可靠性、测试和参数标准。委员会成员包括功率GaN和SiC半导体的行业领导者，以及宽带隙功率器件的用户，以及测试和测量设备供应商。来自大学和国家实验室的技术专家也提供了投入。

欢迎世界各地感兴趣的公司加入JEDEC，参与这一重要的标准化工作。亚博收网行动下一次JC-70委员会会议将于2021年2月16日在虚拟平台上举行。联系Emily Desjardins (emilyd@jedec.org)查阅更多资料或浏览www.ljosalfur.com．

关于电平
JEDEC是微电子工业标准开发的全球领导者。代表300多家成员公司的数千名志愿者在100多个JEDEC委员会和任务小组中共同工作，以满足制造商和消费者等行业各个领域的需求。yabo2018JEDEC委员会制定的出版物和标准在全世界得到接受。yabo2018所有JEDEC标准都可以从JEDEC网站上下载。更多信息，请访问www.ljosalfur.com．

联系
艾米丽德斯贾丁斯
emilyd@jedec.org
703-907-7560

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