JEDEC宽带隙功率半导体委员会发布了碳化硅(SiC) MOS器件偏置温度不稳定性的里程碑文件

4月，美国弗吉尼亚州阿灵顿29, 2021年- - - - - -JEDEC固态技术协会全球领先的微电子工业标准开发公司，宣布发布JEP184:用于电力电子转换的碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件偏置温度不稳定性评估指南。由JEDEC的JC-70.2碳化硅小组委员会开发的出版物JEP184可从电平的网站．

JEP184提供了定义和程序，用于描述具有偏置以打开和关闭设备的栅极介质区域的基于sic的电力电子转换半导体器件的阈值电压不稳定性。

偏置温度不稳定性(BTI)涉及阈值电压(V_T)和其他器件参数，如电阻在通态和泄漏电流在关态作为应力时间，应力电压和应力温度的函数。SiC mosfet中BTI的评估尤其具有挑战性，因为测量的阈值偏移可以由不同的组件组成，如长期V_T瞬态漂移_T变化、迟滞行为或迟滞变化。本出版物提供了应力程序指南，能够区分不同的位移元件，并允许测量其稳定性随时间受门偏压和温度的影响。JEP184还紧跟JEDEC最近发布的JEP183:阈值电压测量指南(V_T)的碳化硅mosfet。总之，这两份密切相关的出版物为评估和评估BTI V的变化提供了业界急需的指导_T，以及准确测量V_TSiC mosfet。

“BTI是采用SiC功率mosfet的汽车和工业市场经常要求的兴趣主题。我们相信增加JEP184来解决BTI问题满足了这一领域的关键需求，我们很高兴能够积极参与关于BTI的JC-70.2，”Wolfspeed的Jeffrey Casady博士指出动力模具产品营销工程经理他是JC-70.2小组委员会主席。

JEDEC的JC-70委员会很高兴将JEP184添加到其不断扩大的出版物生态系统中。在发布了第一个SiC特定测试程序指南(V_T) (JEP183)，我们很高兴现在开始了可靠性相关的系列文件。这一结果再次证明了我们国际团队的努力!英飞凌科技SiC副总裁、JC-70.2小组委员会副主席Peter Friedrichs博士说。

jc - 70

JC-70成立于2017年10月，共有23家成员公司，目前拥有60多家成员公司，这强调了行业对制定通用标准的承诺，以帮助推进宽带隙(WBG)电源技术的采用。来自美国、欧洲、中东和亚洲的跨国公司和技术初创公司正在共同努力，为业界带来一套WBG功率半导体的可靠性、测试和参数标准。委员会成员包括功率GaN和SiC半导体的行业领导者，以及宽带隙功率器件的用户，以及测试和测量设备供应商。来自大学和国家实验室的技术专家也提供了投入。

欢迎世界各地感兴趣的公司加入JEDEC，参与这一重要的标准化工作。亚博收网行动下一次JC-70委员会会议将于2021年5月18日在虚拟平台上举行。联系Emily Desjardins (emilyd@jedec.org)查阅更多资料或浏览www.ljosalfur.com．

关于电平
JEDEC是微电子工业标准开发的全球领导者。代表300多家成员公司的数千名志愿者在100多个JEDEC委员会和任务小组中共同工作，以满足制造商和消费者等行业各个领域的需求。yabo2018JEDEC委员会制定的出版物和标准在全世界得到接受。yabo2018所有JEDEC标准都可以从JEDEC网站上下载。更多信息，请访问www.ljosalfur.com．

联系
艾米丽德斯贾丁斯
emilyd@jedec.org
703-907-7560

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