电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评价指南

JEP184

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本文档的范围涵盖基于sic的PECS器件，该器件具有偏置的栅极介电区域以打开和关闭器件。这通常是指MOS器件，如mosfet和igbt。在本文档中，只讨论了NMOS器件，因为这些器件在功率器件应用中占主导地位;然而，这些程序也适用于PMOS设备。

委员会(s):jc - 70.2

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