微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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SiC mosfet阈值电压(VT)测量指南 |
JEP183 | 2021年1月 |
本文描述了在SiC功率mosfet VT测试之前VT测量方法和调节的指导方针,以减少或消除上述迟滞效应。 委员会(s):jc - 70.1 |
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电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评价指南 |
JEP184 | 2021年3月 |
本文档的范围涵盖基于sic的PECS器件,该器件具有偏置的栅极介电区域以打开和关闭器件。这通常是指MOS器件,如mosfet和igbt。在本文档中,只讨论了NMOS器件,因为这些器件在功率器件应用中占主导地位;然而,这些程序也适用于PMOS设备。 委员会(s):jc - 70.2 |
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在数据表中表示SIC mosfet开关损耗的指南 |
JEP187 | 2021年12月 |
本文档描述了测量和/或设置参数对功率半导体开关开关损耗的影响;主要关注碳化硅MOSFET的导通损耗。在关断损耗方面,SiC mosfet的行为与现有的硅基功率mosfet相似,因此在典型的数据表中得到了充分的表示。 委员会(s):jc - 70.2 |