微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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注册-塑料双小轮廓,平,2终端包装。PDSO-F2。 |
- 221 b吗 | 2018年8月 |
11.10项目-455。 委员会(s):JC-11,jc - 11.10 |
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设计要求-小型塑料四联和双联,方形和矩形,无铅封装(可选的热增强)。小规模(QFN/SON)。 |
dg - 4.20 f | 2016年9月 |
单品11.2 -820 (S)。 |
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注册- 240引脚DDR3 DIMM(双内联内存模块)家族1.00毫米间距。昏暗的 |
mo - 269 j | 2014年4月 |
项目-163 - 11.14 委员会(s):JC-11,jc - 11.14 |
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注册-热增强,8铅,1.27和0.65毫米间距,薄,非常非常薄,超薄塑料双平板,无铅包装。H(t, w, u)子。 |
mo - 240 c | 2012年8月 |
项目-860 - 11.11 委员会(s):JC-11,jc - 11.11 |
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注册- 244引脚DDR2/DDR3迷你双列直连内存模块(DIMM)系列,0.60毫米引线中心。 |
mo - 244 d | 2012年7月 |
项目14-136 专利():日立:5,227,664 委员会(s):JC-11,jc - 11.14 |
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注册- DDR2 SDRAM DIMM(双内联内存模块)系列,1.00 mm联系中心。 |
mo - 237 g.01 | 2011年4月 |
第11.14-128、11.14-128E项 专利():日立:5,227,664 委员会(s):jc - 11.14 |
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注册-塑料非常非常薄,超薄和极薄,细间距双,小轮廓,无铅包装系列。(w, u, x) f子。 |
mo - 252 d | 2010年3月 |
11.11项目-830。 委员会(s):JC-11,jc - 11.11 |
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注册- DDR3 SDRAM DIMM(双内联内存模块)系列,基于flex, 1.00 mm联系中心 |
mo - 290 a | 2007年11月 |
项目-118 - 11.14 专利():STAKTEK,见大纲 委员会(s):JC-11 |
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注册-小规模,塑料,超,额外,超薄,细Pitch,双小轮廓,无铅包装。(u, x1, x2) f的子。 |
mo - 287 a | 2007年9月 |
项目-777 - 11.11 委员会(s):JC-11,jc - 11.11 |
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注册- FBDIMM(全缓冲双内联内存模块)系列,1.00 mm联系中心。 |
mo - 256 f | 2007年6月 |
项目-108 - 11.14 委员会(s):jc - 11.14 |
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注册- DDR2 SDRAM DIMM(双内联内存模块)系列,基于flex, 1.00 mm联系中心。 |
mo - 281 a | 2006年11月 |
项目-100 - 11.14 专利():STAKTEK:见大纲 委员会(s):JC-11 |
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设计要求-塑料四通和双联,方形和矩形,无铅封装(可选的热增强)。QFP-N / n。 |
dg - 4.8 c | 2006年9月 |
单品11.2 -713 (s)。 |
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注册-双内联内存模块(DIMM)系列,184 Pin DDR w/ 1.27 mm联系中心。项目-078 - 11.14 |
mo - 206 e | 2006年1月 |
委员会(s):jc - 11.14 |
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注册-高规格塑料热增强放大斜双平无铅封装。HE-PDFP-N。11.11项目-638。 |
mo - 245 a | 2003年9月 |
委员会(s):JC-11,jc - 11.11 |
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注册-热增强塑料非常薄双排细距四平无铅包装。HP-VFQFP-N。项目-680 - 11.11 |
mo - 239 b | 2002年11月 |
委员会(s):JC-11,jc - 11.11 |
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注册-热增强低轮廓塑料双,平面无铅包装。L-PDFP-N。项目-412 - 11.10 |
mo - 232 a | 2001年8月 |
委员会(s):JC-11,jc - 11.10 |
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标准-双直列规。(领带与所有收缩p - dip)。AA-BD变化。11.11项目-315。 |
gs - 003 c | 1993年3月 |
委员会(s):JC-11 |