微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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注册- 200引脚DDR小轮廓双列内存模块(SODIMM)系列,0.60毫米联络中心。11.14项目-077。关键公差修正 |
mo - 224 e | 2006年11月 |
第11-074(e)及14-106(e)项 专利():八立:5,227,664 委员会(s):jc - 11.14 |
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注册- DDR1/DDR2/DDR3, 144引脚,16b/32b小轮廓双内联内存模块(SODIMM)系列,0.8 mm间距。DIMM |
mo - 274 d | 2014年10月 |
项目-171 - 11.14 委员会(s):JC-11,jc - 11.14 |