微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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用于娱乐服务的低功率音频晶体管的beta指定范围和条件:状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD302 | 1965年1月 |
本标准规定了用于娱乐服务的低功率音频晶体管的首选额定值范围和条件。原名RS-302和EIA-302。 委员会(s):JC-25 |
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晶体管小信号hf、vhf、uhf功率增益的测量状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD306 | 1965年5月 |
本标准为低功率晶体管的小信号HF、VHF和UHF功率增益提供了一种测量方法。以前称为RS-306和/或EIA-306。 委员会(s):JC-25 |
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传导冷却功率晶体管热阻测量:状态:重申1981年4月,2001年4月 |
JESD313-B | 1975年10月 |
本标准提供了测量传导冷却功率晶体管热阻的试验方法。 委员会(s):JC-25 |
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cre的测量标准状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD340 | 1967年11月 |
该标准提供了一个易于测量的参数,该参数是确定用于小信号操作的晶体管稳定性的重要特征之一。测量技术允许快速测试。它与交流稳定性的相关性将有助于建立设备的互换性。以前称为RS-340和/或EIA-340。 委员会(s):JC-25 |
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用正弦信号发生器方法测量频率高达20千赫的晶体管噪声图状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD353 | 1968年4月 |
这种噪声测量方法适用于噪声具有高斯功率分布的晶体管,噪声具有平坦(白色)功率分布的晶体管,以及噪声具有l/f(功率与频率成反比)功率分布的晶体管。以前称为RS-353和/或EIA-353 委员会(s):JC-25 |
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晶体管等效噪声电压和等效噪声电流的测量频率高达20千赫状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD354 | 1968年4月 |
本标准提供了一种在频率高达20千赫的情况下为晶体管等效噪声电压和等效噪声电流确定值的方法。这种方法适用于噪声为高斯分布、平直(白)或I/f功率分布的晶体管。以前称为RS-354和/或EIA-354 委员会(s):JC-25 |
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半导体器件命名系统:状态:重申1995年11月,1999年11月,2003年5月 |
JESD370B | 1982年2月 |
该标准包括几个新项目,并已完全改写了原来的EIA-370。首先是一个新的字母符号C,因此JEDEC类型的名称现在可能是2C1234,以表明一个芯片被指定为如果它正确地安装在2N1234注册的封装上,它将显示类似于2N1234的特征。第二项主要增加是为光电子器件的类型名称分配第一个数字符号的方法。ANSI / eia - 370 b - 1992。 委员会(s):JC-10 |
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小信号vhf-uhf晶体管短路正向电流传递比的测量:状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD371 | 1970年2月 |
本标准描述了小信号VHF-UHF晶体管短路正向电流传输比的测量方法,用于制备低功率晶体管JEDEC注册数据表。以前称为RS-371和/或EIA-371。 委员会(s):JC-25 |
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小信号vhf-uhf晶体管导纳参数的测量:状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD372 | 1970年5月 |
本标准描述了在制备低功率晶体管JEDEC配准数据表时用于测量小信号VHF-UHF晶体管导纳参数的方法。以前称为RS-372和/或EIA-372 委员会(s):JC-25 |
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二极管q测量方法状态:重申1999年4月,2002年4月 |
JESD381-A | 1981年11月 |
本标准进行了更新和修订,目的是澄清使用射频导纳桥在低VHF范围内测量电压可变电容二极管Q的方法。最初出版于1981年11月。通过ANSI/EIA-381-A-1992, 1992年7月。2002年7月ANSI到期后成为JESD381-A。 委员会(s):jc - 22.4 |
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双电阻紧凑热模型指南 |
JESD15-3 | 2008年7月 |
本文档从JEDEC接点到外壳和接点到板的热指标,指定了两电阻紧凑热模型(CTM)的定义和构造。本文档提供的指导仅适用于JEDEC标准JESD51-8和JESD51-12中定义的热指标。本文档的范围仅限于可以用单个结温度有效表示的单模封装。 委员会(s):JC-15 |
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无线电前端-基带数字并行(rbdp)接口 |
JESD207 | 2007年3月 |
本标准中的规范信息旨在为技术设计团队提供实现RFIC组件和/或BBIC组件的数据路径和控制平面接口功能的技术设计团队,以便这些组件在按照本规范设计时能够正确地相互操作(在接口级)。 委员会(s):jc - 61 |
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晶体管电容小值的测量:状态:重申1981年4月,1999年4月,2009年3月 |
JESD398 | 1972年7月 |
本标准包含电容测量的三端子程序,并适当注意屏蔽由于端子引线和金属外壳造成的额外影响。以前称为RS-398和/或EIA-398 委员会(s):JC-25 |
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小信号晶体管散射参数测量标准:状态:重申1999年4月,2009年3月 |
JESD435 | 1976年4月 |
本标准规定了小信号晶体管散射参数的测量标准。以前称为RS-435和/或EIA-435 委员会(s):JC-25 |
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信号和稳压二极管热阻测试方法(正向电压,开关法):状态:重申1999年4月,2002年4月 |
JESD531 | 1986年7月 |
本标准描述了测量信号和调节二极管热阻的试验方法。对这种测试方法进行修改的需要是由于之前在热阻测试中存在的信号和调节器二极管应用的有限描述。先前发表为ID-13。ANSI/EIA-531-1986(7月)于1996年6月到期。2002年4月再次确认后成为JESD531。 委员会(s):jc - 22.4 |
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微型计算机、微处理器和存储集成电路的术语、定义和字母符号: |
JESD100B.01 | 2002年12月 |
为技术作者和教育工作者,制造商,微处理器,微型计算机,微控制器,内存集成电路和其他复杂设备的购买者和用户修订的参考。本标准中的术语及其定义进行了更新,并与IEEE和IEC的最新出版物大体一致。其他集成电路的配套标准是JESD99A。还包括一个系统,用于在复杂的时序电路(包括存储器)中为时间间隔生成符号。JESD100B.01is the first minor revision of JESD100-B, December 1999. Annex A briefly shows entries that have changed. 委员会(s):JC-10 |
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线性标准的无铅芯片载体引脚: |
JESD1 | 1982年4月 |
该标准展示了如何将运算放大器、比较器和D/A转换器的现有DIP引脚转换为芯片载波封装。 委员会(s):JC-41 |
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cmos 4000, hc和HCT系列逻辑电路标准的芯片载体引脚: |
JESD11 | 1984年12月 |
该标准指出了将现有的DIP和数字部件(SSI和MSI)平面封装转换为芯片载波封装的程序。 委员会(s):jc - 40.2 |
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半定制集成电路(以前作为门阵列基准集的标准发布): |
JESD12 | 1985年6月 |
这些基准测试的目的是提供一组通用的高级功能,作为比较在任何技术中使用任何内部结构实现的门阵列性能的工具。这些基准测试有效地提供了门阵列供应商在已知性能水平上对特定门阵列实现所需复杂功能的能力的公正衡量。 委员会(s):JC-44 |
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JESD12附录1 .门阵列和单元集成电路的术语和定义 |
JESD12-1B | 1993年8月 |
本标准的目的是促进缩写、术语和定义在整个半导体行业的统一使用。对于用户、制造商、教育工作者、技术作者和其他对半定制集成电路的表征、命名和分类感兴趣的人来说,这是一本有用的指南。 委员会(s):JC-44 |