微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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微电路故障分析用户指南:状态:取消2004年11月 |
JEB16 | 1970年7月 |
本指南定义了单片集成微电子电路失效分析的通用程序。虽然一般程序步骤可适用于所有微电子电路,但不包括薄/厚膜混合器件特有的附加分析步骤。 委员会(s):JC-14 |
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半导体逻辑门控微电路的测量方法:状态:重申1984年2月 |
JEB5-A | 1970年1月 |
本公告的目的是推荐在使用二进制状态表示和处理逻辑信息的半导体逻辑门控微电路的额定值中使用。包括静态和动态测量。 委员会(s):JC-BOD |
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双稳态半导体微电路的术语和测量方法: |
JEB15 | 1969年1月 |
本公告解释双稳态半导体微电路的术语和测量方法。它也打算与半导体集成双稳逻辑电路的EIA注册数据格式一起使用。 委员会(s):JC-40 |
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lsi元件质量和可靠性保证用户指南状态:取消4月- 87 |
JEB17 | 1970年1月 |
MOS移位寄存器的推荐特性: |
JEB19 | 1972年1月 |
此建议适用于MOS移位寄存器。给出了p通道寄存器的定义,但适用于所有CMOS和n通道的电源符号变化。 委员会(s):JC-40 |
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微电子器件热特性试验的公认规程状态:取消 |
JEB20 | 1975年1月 |
委员会(s):JC-11 |
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用于指定终端引线位置的Alpha数字网格系统状态:注册进入JEP95, 1982年11月 |
JEB8 | 1968年1月 |
并入JEP95 |
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半导体集成电路电气特性的标准测量状态:取消84年10月, |
JEB6 | 1966年1月 |
委员会(s):JCJEDC |