注册数据格式(RDFs)

一个注册数据格式(RDF)是描述设备制造商应如何以统一和有序的方式呈现机械和电气数据的指南，以便设备用户可以轻松地比较和选择组件以满足应用要求。这些格式是要求要获得JEDEC型号注册指定，因为它们提供了对特定类别的固态器件进行表征所需的最小数据，在其上分配了类型指定。为了实现标准化，可以使用特定的注册格式来适应特定的设备类型。随着新的半导体发展或电路应用变得切实可行，这些格式可能会发生变化。详情请参阅JESD282，第2.7、2.8和2.9款。

rdf主要由JC-22委员会和JC-25委员会。

拟备提交注册资料格式时:

以“M”开头的每一项都是必填项，必须完全填写，因为它代表了在预期应用中确保设备互换性所需的基本等级或特性。其他项目中要求的数据是可选的，应适当填写，以确保在设备打算服务的特殊应用中具有互换性。在任何情况下，所提供的数据应充分定义设备在预期应用中的互换性，并应将其与现有注册的设备区分开来。如果需要其他数据以确保互换性，则数据应作为注册的一部分提交。公司数据表也可以包括在内。RDF中列出的任何参数或测试背后的意图或解释应该是没有问题的。

当要给出设备的外形尺寸时，如果可能，应使用在JEDEC注册的外形图纸。已注册的大纲见最新版JEP95JEDEC注册和半导体器件标准大纲。如果注册的大纲不适用，则大纲图必须附在格式的另一页上。

删除所有斜体字，所有未使用的项目和所有“M”。如有需要，请按适当顺序重新编号，以避免所使用的项目编号出现空白。

提交注册的所有数据，无论是强制性的、可选的还是对格式的补充，都成为正式注册的一部分。

所有JEDEC注册数据必须出现在设备制造商的商业数据表上，并通过星号标识为JEDEC注册数据。在互换性不受影响的情况下，商业数据表中可以包括包括性能曲线在内的其他数据。JEDEC不要求公司披露基本专利或提供RAND¹准备提交注册数据格式时的保证。但是，公司可能会自愿这样做，以帮助最终数据表的未来用户。

完成后，申请JEDEC类型注册，请提交给:JEDEC类型管理员，Phileasher坦纳, 703-907-7540。

JC-22.4(原JC-20)委员会

• RDF-2， Issue 3,01/19/83，二极管，电压调节器单单元或家族
• RDF-3，第3期，07/07/81，二极管，通用
• RDF-4，第3期，07/07/81，二极管，电压可变电容器
• RDF-5，第1A期，11/06/64，二极管，晶闸管半导体(JS-2)
• RDF-6，第2期，07/17/72，二极管，通用多半导体
• RDF-7，第5期，11/15/82，二极管，电压参考，单单元
• RDF-8，第1A期，06/02/67，二极管，对称多结负电阻(JS-2)
• RDF-9，第6期，02/08/82，二极管，隧道(原JS-9 RDF-3)
• RDF-10，第6期，02/08/81，二极管，向后(隧道)
• RDF-11，第6期，02/08/82，二极管，电流调节器，家族
• RDF-12，第1期，11/05/71，二极管，电压瞬态抑制器家族

JC-22委员会

• RDF-1，第1期，03/31/71，可控硅，三极管
• RDF-2，第1期，03/31/71，可控硅，双向三极管
• RDF-3，第1期，03/31/71，可控硅，二极管功率
• RDF-3， 2005年1月21日，二极管，导联硅，可控雪崩整流(JS-1)
• RDF-3，第1期，07/25/63，二极管，光触发半导体pnpn型开关(JS-14)
• RDF-21，第1A期，12/20/74，二极管，铅装硅整流器
• RDF-22， Issue 1,09/21/73，二极管，螺柱(或)底座安装硅整流器
• RDF-23， Issue 1,09/21/73，二极管，螺柱(或)底座安装的可控硅雪崩整流器或瞬态抑制器
• RDF-24，第1期，09/21/73，组件，封闭硅整流电路
• RDF-25，第1A期，06/12/74，未封装，半导体整流二极管元件
• RDF-26， Issue 1,10/29/74，二极管，螺柱(或)底座安装硅整流器
• RDF-27，第1期，2007年11月，可控硅，二极管，瞬态电压抑制，单向
• RDF-28，第1期，2007年11月，可控硅，二极管，瞬态电压抑制，双向

有关在二极管RDFs中填写整流二极管注册信息的指南，请参阅JESD282，第3节。

JS-3委员会

• RDF-1，第2期，09/18/69，二极管，微波视频探测器
• RDF-2， Issue 1,04/27/67，二极管，超高频混频器
• RDF-3，第1期，04/27/67，二极管，微波混频器
• RDF-4， Issue 1A, 11/06/64，二极管，电压可变阻抗
• RDF-5，第1A期，11/06/64，二极管，变容器
• RDF-6， Issue 1A, 11/06/64，二极管，变容器，射频谐波发生器
• RDF-7，第1期，06/01/67，二极管，隧道，超高频微波

js 4委员会

• RDF-1，第1期，07/23/65，探测器，红外
• RDF-2，第1期，10/16/65，电池，光导
• RDF-3，第1期，07/23/65，光电二极管，光伏操作传感器服务
• RDF-4，第1期，07/23/65，太阳能电池，发电，空间飞行器服务(或)太阳能电池，发电，空间飞行器地面服务

JC-23委员会

• RDF-5，第1期，11/12/76，二极管，红外发射
• RDF-6，第1期，11/12/76，二极管，发光
• RDF-7，第1期，01/28/77，耦合器，光电晶体管

JC-24委员会

• RDF-1，第7期，06/06/74，晶体管，射频和中频，工业服务
• RDF-2，第5,06/06/74，晶体管，低功率音频，工业
• RDF-5， 3,06/06/74，晶体管，低功率雪崩开关工业服务
• RDF-6，第4期，06/06/74，晶体管，单结，工业服务
• RDF-7，第2期，05/03/67，晶体管，HF, VHF, UHF电源，工业服务(JS-6 RDF-3)(JS-9)
• RDF-8，第4,06/06/74，晶体管，低功耗，视频放大器，工业
• RDF-9， 3B期，02/28/67，晶体管，低功耗，斩波工业服务(JS-9)
• RDF-10，第6,06/12/74，晶体管，低功耗，开关，工业服务
• RDF-11A，第6期，06/12/74，晶体管，结门场效应，低功率，放大器工业服务
• RDF-11B，第7期，06/12/74，晶体管，场效应，绝缘栅损耗型，低功率放大器，工业服务
• RDF-11C，第6期，06/12/74，晶体管，场效应，绝缘栅增强类型，低功率放大器，工业服务
• RDF-12，第3期，06/12/74，晶体管，差分放大器，工业服务
• RDF-13，第2期，06/12/74，晶体管，高增益，工业服务
• RDF-14，第1期，05/28/64，晶体管，双边(JS-9)
• RDF-15A，第3期，06/12/74，晶体管，结门场效应，低功率，斩波或开关，工业服务
• RDF-15B，第5期，10/02/74，晶体管，场效应，绝缘栅损耗型，低功率斩波或开关，工业服务
• RDF-15C，第5期，10/03/74，晶体管，场效应，绝缘栅增强型，低功率斩波或开关，工业服务
• RDF-16，第2期，06/12/74，晶体管，场效应，双栅极，低功率，放大器，工业服务
• RDF-17，第3期，06/12/74，晶体管，场效应，低功率差分放大器，工业服务
• RDF-18，第1期，03/24/67，晶体管，低功率，双发射极斩波器，工业服务(JS-9)
• RDF-19B， Issue 2A, 06/22/72，晶体管，场效应四极管，双绝缘栅，耗竭型，低功率，放大器，工业服务
• RDF-20，第1期，02/22/73，晶体管，可编程单结，工业服务

JC-25委员会

• RDF-1，第3期，04/20/76，晶体管，电源，开关和放大器应用
• RDF-3，第2期，05/03/67，晶体管，HF, VHF, UHF电源，工业服务(JS-9 RDF-7)
• RDF-4，第3期，09/28/81，晶体管，功率达林顿，开关和放大器放大器
• RDF-5，第1,06/15/71，晶体管，水平偏转
• RDF-6，第2期，08/23/90，晶体管，开关和放大器的功率场效应应用
• RDF-7，第2期，06/11/76，晶体管，未封装的功率芯片(不是达林顿)

¹JEDEC组织和程序手册定义:JM21，第8.2.1节