JEDEC发布宽I/O 2移动DRAM标准

2014年9月8日，美国弗吉尼亚州阿灵顿- - - - - -固态技术协会作为微电子行业标准开发的全球领导者，今天宣布发布JESD229-2 Wide I/O 2。与Wide I/O相比，Wide I/O提供了显著的速度提升，同时保留了Wide I/O的垂直堆叠矽通孔(TSV)架构和优化的封装。这些特性使Wide I/O能够满足智能手机、平板电脑和掌上游戏机等移动设备不断增长的速度、容量和能效要求。JESD229-2可从JEDEC网站免费下载//www.ljosalfur.com/standards-documents/results/jesd229-2．

宽I/O 2提供的内存带宽(高达68GBps)是之前版本标准的四倍，但功耗更低(带宽/瓦特更好)，电源电压改为1.1V。从封装的角度来看，Wide I/O 2芯片经过优化，可以堆叠在片上系统(SOC)之上，以最大限度地减少功耗和占用空间。

JC-42.6低功耗存储器小组委员会主席Hung Vuong指出:“宽I/O 2移动DRAM是2012年发布的宽I/O开创性技术的延伸。”就像切换到多核处理器可以显著提高计算机的整体速度，而无需跳转到新的进程节点一样，垂直堆叠架构允许Wide I/O 2接口提供LPDDR4 DRAM的四倍带宽，而I/O速度约为LPDDR4的四分之一。

“随着最近LPDDR4的发布，JEDEC的这两个新标准为设计人员提供了一系列移动存储解决方案，实现了最大的灵活性，”Vuong说。“使用水平架构的设计人员可以选择LPDDR4，而使用垂直架构的设计人员则支持Wide I/O 2。无论哪种情况，委员会都致力于提供市场所需的内存性能。”

JEDEC董事会主席Mian Quddus补充说:“移动革命正在推动对存储解决方案的前所未有的需求，这些解决方案将支持对高性能，响应迅速的设备的需求，这些设备在较小的外形中使用更少的功率。”他补充说:“JEDEC的JC-42.6小组委员会致力于提供一系列移动内存解决方案，以满足现在和未来的行业需求。”

主要规格:

• 通道数:4、8
• 银行数量:每个骰子32个
• 密度:8gb ~ 32gb
• 页面大小:4 KB(4通道die)， 2 KB(8通道die)
• 每个芯片的最大带宽分别为34 GB/s(4通道芯片)和68 GB/s(8通道芯片)
• 最大I/O速度:1066 Mbps, 800 Mbps和1066 Mbps速度定义
• 工作电源电压:1.1V

JEDEC移动论坛暨LPDDR4研讨会
为了促进对宽I/O 2和LPDDR4标准的理解和采用，JEDEC将于2014年9月22日和23日在加州圣克拉拉举办移动论坛和LPDDR4研讨会。网上报名及议程资料请浏览://www.ljosalfur.com/CA-2014．

关于宽I/O
宽I/O移动DRAM支持芯片级三维(3D)堆叠，通过硅孔(TSV)互连和存储芯片直接堆叠在芯片上的系统(SoC)上。JEDEC Wide I/O标准定义了特性、功能、交流和直流特性以及球/信号分配。宽I/O特别适合需要极高能效和更高内存带宽的应用程序，例如具有3D图形、高清视频和同时运行多个应用程序的高级游戏。

关于电平
JEDEC是微电子行业标准制定的全球领导者。代表近300家会员公司的数千名志愿者在50个JEDEC委员会中共同努力，以满足行业、制造商和消费者等各个部门的需求。yabo2018JEDEC委员会制定的出版物和标准在世界范围内被接受。yabo2018所有JEDEC标准都可以从JEDEC网站上免费下载。欲了解更多信息，请访问www.ljosalfur.com．

联系
艾米丽德斯贾丁斯
703-907-7560
emilyd@jedec.org

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