微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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在直流应力下,在最大栅极电流下测量p沟道mosfet热载流子诱导退化的方法: |
JESD60A | 2004年9月 |
该方法建立了加速测试p沟道MOSFET热载流子诱导变化的标准程序。目标是提供最小的测量集,以便在不同的技术之间进行准确的比较。在表征和晶体管制造过程的基准测试中,指定的测量值应被视为起始品脱。 委员会(s):jc - 14.2 |
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恢复原职。 |
- - - - - - 059 | 2003年1月 |
委员会(s):JC-11 |
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注册-塑料多位置法兰安装混合技术,0.10英寸。球包 |
- 220 l.01 | 2020年11月 |
-456 - 11.10 (E)项 委员会(s):JC-11,jc - 11.10 |
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绝缘栅双极晶体管热阻抗测量(Delta VCE(on)法) |
JESD24-12 | 2004年6月 |
本测试方法的目的是测量IGBT(绝缘栅双极晶体管)在特定的外加电压、电流和脉冲持续时间条件下的热阻抗。集电极-发射极对电压的温度敏感性VCE(on)被用作结温指示器。这是JEDEC标准No. 24-6的替代方法。 委员会(s):JC-25 |