微电子工业全球标准
显示1 - 1的1个文档。
修订后的JESD35旨在用于MOS集成电路制造行业。它描述了用于估计薄栅氧化物的整体完整性和可靠性的程序。描述了三个基本的测试程序,电压斜坡(V-Ramp),电流斜坡(J-Ramp)和新的恒流(有界J-Ramp)测试。每个测试的设计简单,快速和易于使用。该标准已经更新,包括击穿标准,在检测可能不会经历硬热击穿的较薄栅极氧化物击穿方面更加可靠。
委员会(s):jc - 14.2
免费下载。登记或登录必需的。