微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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薄介质片级测试程序: |
JESD35-A | 2001年4月 |
修订后的JESD35旨在用于MOS集成电路制造行业。它描述了用于估计薄栅氧化物的整体完整性和可靠性的程序。描述了三个基本的测试程序,电压斜坡(V-Ramp),电流斜坡(J-Ramp)和新的恒流(有界J-Ramp)测试。每个测试的设计简单,快速和易于使用。该标准已经更新,包括击穿标准,在检测可能不会经历硬热击穿的较薄栅极氧化物击穿方面更加可靠。 委员会(s):jc - 14.2 |
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jsd35附录1,薄介质晶圆级测试试验结构设计的一般导则 |
JESD35-1 | 1995年9月 |
本附录通过详细说明可能影响JESD35中所述斜坡测试所获得的测试结果的测量误差的各种来源,扩展了标准35 (JESD35)的有用性。描述了每个误差来源,并指出了其对测试结构设计的影响。在设计薄氧化物可靠性鉴定和表征的测试结构时,本附录可作为指南,特别是通过实施加速电压或电流斜坡测试。 委员会(s):jc - 14.2 |
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JESD35附录2 -薄介质晶圆级测试的测试标准 |
JESD35-2 | 1996年2月 |
本附录包括补充JESD35的测试标准。JESD35描述了用于估计MOS集成电路制造业中薄氧化物的整体完整性的程序。JESD35中包括两个测试程序:电压斜坡(V-Ramp)和电流斜坡(J-Ramp)。随着JESD35在各种测试结构和氧化物属性的生产设施上的实施,需要澄清终点确定,并指出一些可以通过仔细表征设备和测试结构来克服的障碍。 委员会(s):jc - 14.2 |