微电子工业全球标准
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本测试方法的目的是测量在施加电压、电流和脉冲持续时间的规定条件下MOSFET的热阻抗。如果使用源极漏极的正向压降作为结温指示器,则温度灵敏度。该方法特别适用于具有较长热响应时间的增强模式功率mosfet。该测试方法可用于测量结对加热脉冲的热响应,通过适当选择加热脉冲的脉冲持续时间和幅度,以确保适当的模具安装到其外壳或直流热阻上。
委员会(s):JC-25
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