微电子工业全球标准
标准及文件检索
标题 | 文档# | 日期 |
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双电阻紧凑热模型指南 |
JESD15-3 | 2008年7月 |
本文档从JEDEC接点到外壳和接点到板的热指标,指定了两电阻紧凑热模型(CTM)的定义和构造。本文档提供的指导仅适用于JEDEC标准JESD51-8和JESD51-12中定义的热指标。本文档的范围仅限于可以用单个结温度有效表示的单模封装。 委员会(s):JC-15 |
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绝缘栅双极晶体管热阻抗测量(Delta VCE(on)法) |
JESD24-12 | 2004年6月 |
本测试方法的目的是测量IGBT(绝缘栅双极晶体管)在特定的外加电压、电流和脉冲持续时间条件下的热阻抗。集电极-发射极对电压的温度敏感性VCE(on)被用作结温指示器。这是JEDEC标准No. 24-6的替代方法。 委员会(s):JC-25 |
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应用热降额方法: |
JEP149.01 | 2021年1月 |
本出版物适用于集成电路及其相关封装在最终用途设计中的应用。综述了热降额的方法及其适用性。 |
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热建模概述 |
JESD15 | 2008年10月 |
本文档和相关系列文档旨在促进建模方法的持续发展,同时通过定义讨论建模的通用词汇,创建热建模报告中应包括哪些信息的要求,并在适当的情况下指定建模程序和验证方法,为建模方法的使用提供一致的框架。本文档概述了为包含半导体器件的封装执行有意义的热模拟所必需的方法。实际的方法组件包含在单独的详细文档中。 |
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德尔菲紧凑热模型指南 |
JESD15-4 | 2008年10月 |
本指南规定了定义并列出了基于DELPHI方法构建紧凑热模型(CTM)的可接受方法。本文件的目的有两个。首先,它旨在为那些寻求创建包的DELPHI紧凑模型的人提供明确的指导。其次,它旨在为用户提供对创建和验证它们的方法的理解,以及与使用它们相关的问题。 委员会(s):JC-15 |
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注册-小规模,塑料,超,额外,超薄,细间距,四平无铅包装(可选的热增强)。(u, x1, x2) f-pqfn & h (u, x1, x2) f-pqfn。 |
mo - 288 b | 2009年9月 |
项目-821 - 11.11 委员会(s):JC-11,jc - 11.11 |
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设计要求-四无铅交错和内联多行封装(可选的热增强)。QFN。 |
dg - 4.19 d | 2007年5月 |
单品11.2 -765 (s)。 委员会(s):jc - 11.2 |
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多芯片封装热测试环境修改 |
JESD51-31 | 2008年7月 |
本文档指定了多芯片封装对JESD51系列规格中指定的热测试环境条件所需的适当修改。从本文档的方法获得的数据是用于记录封装热性能的原始数据。这些数据的使用将记录在JESD51-XX,支持有效使用MCP热测量的指南中,该指南正在编写中。 委员会(s):JC-15 |
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扩展到jesd51热测试板标准,以适应多芯片封装 |
JESD51-32 | 2010年12月 |
本文件阐述了扩展现有热测试板标准的需求,以适应多芯片封装(mcp)的更高电气连接需求的潜力,以及实现这些连接的相关电线布线。本标准中描述的扩展也适用于测试中需要超过36个电气连接的单芯片封装。 委员会(s):JC-15 |
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报告和使用电子包装热信息指南 |
jesd51 - 12.01 | 2012年11月 |
本文档提供了报告和使用使用JEDEC JESD51标准生成的电子封装热信息的指南。通过解决这两个方面的问题,本文件可作为电子封装热信息供应商和用户之间讨论的共同基础。 |
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TS3000独立热传感器组件 |
SPD4.1.5 | 2009年11月 |
发布号19A,项目1640.11 委员会(s):jc - 42.4 |