微电子工业全球标准
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本附录包括补充JESD35的测试标准。JESD35描述了用于估计MOS集成电路制造业中薄氧化物的整体完整性的程序。JESD35中包括两个测试程序:电压斜坡(V-Ramp)和电流斜坡(J-Ramp)。随着JESD35在各种测试结构和氧化物属性的生产设施上的实施,需要澄清终点确定,并指出一些可以通过仔细表征设备和测试结构来克服的障碍。
委员会(s):jc - 14.2
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