微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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恒温老化法表征铜互连金属化应力诱导的空化 |
JESD214.01 | 2017年8月 |
本文描述了一种恒温(等温)老化方法,用于测试微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱导空洞(SIV)的敏感性。这种方法将主要在技术开发期间的晶圆生产层面进行,结果将用于寿命预测和故障分析。在某些条件下,该方法可以应用于包级测试。由于测试时间较长,此方法不用于检查装运的生产批次。 委员会(s):jc - 14.2 |
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半导体器件的失效机制和模型 |
JEP122H | 2016年9月 |
本出版物提供了故障机制及其相关活化能或加速因子的列表,当唯一可用的数据是基于在加速压力测试条件下执行的测试时,可用于估算系统故障率。要使用的方法是故障率和方法。该出版物还为可靠性建模参数的选择提供了指导,即函数形式、表观热活化能值和对电源电压、衬底电流、电流密度、栅极电压、相对湿度、温度循环范围、移动离子浓度等应力的敏感性。 委员会(s):jc - 14.2 可供购买:163.00美元 添加到购物车 JEDEC付费会员可以登录免费访问。 |