微电子工业全球标准
标准及文件检索
显示3个文档中的1 - 3个。
标题 | 文档# | 日期 |
---|---|---|
带阻隔材料的铝金属件可靠性评定的标准试验结构状态:重申04/17/2023 |
JESD87 | 2023年4月 |
本文档描述了评估铝铜难熔金属屏障互连系统可靠性所需的测试结构设计。这包括任何金属互连系统,其中难熔金属屏障或其他屏障材料阻止铝和/或铜金属离子在互连层之间移动。本文件并非旨在展示测试结构的设计,以评估铝或铝铜合金系统,没有铝和铜离子运动的障碍,也不是仅用于铜金属系统。一些整体互连系统可能不包括所有金属层上的阻隔材料。本标准中的结构是为屏障材料分隔两个铝或铝合金金属层的情况而设计的。本文档的目的是描述评估铝铜屏障金属系统的电迁移(EM)和应力诱导空洞(SIV)可靠性所需的测试结构设计。 委员会(s):jc - 14.2,jc - 14.21 |
||
表征应力诱导空化铝互连金属化的恒温时效指南:状态:重申2012年10月 |
JEP139 | 2000年12月 |
本文描述了一种用于测试微电子晶圆上铝(Al)金属化测试结构对应力诱导空洞的敏感性的恒温(等温)时效方法。该方法适用于金属化/电介质系统,其中电介质在相当高于预期使用温度的温度下沉积到金属化上,并且高于或等于金属的沉积温度。虽然这是一个晶圆测试,但它不是一个快速(每个探头少于5分钟)的测试。它旨在用于寿命预测和失效分析,而不是用于生产Go-NoGo批号检查。 委员会(s):jc - 14.2 |
||
表征应力诱导空化铜互连金属化的恒温时效方法 |
JESD214.01 | 2017年8月 |
本文描述了一种用于测试微电子晶圆上铜(Cu)金属化测试结构对应力诱导空洞(SIV)敏感性的恒温(等温)时效方法。该方法主要在技术开发期间的晶圆级生产中进行,其结果将用于寿命预测和故障分析。在某些条件下,该方法可以应用于包级测试。这个方法不是用来检查生产批次的出货,因为测试时间长。 委员会(s):jc - 14.2 |