微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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半导体信号二极管反向恢复时间的测量:状态:重申 |
EIA318-B | 1996年7月 |
本标准描述了持续时间小于300ns的信号二极管(IF <=500mA dc)反向恢复时间的测量。然而,它也可用于测量较长的恢复时间。本标准还旨在建立一种方法来表征用于这种测量的测试夹具。 委员会(s):jc - 22.4 |
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小信号晶体管散射参数测量标准:状态:重申1999年4月,2009年3月 |
JESD435 | 1976年4月 |
本标准规定了小信号晶体管散射参数的测量标准。以前称为RS-435和/或EIA-435 委员会(s):JC-25 |
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信号和稳压二极管热阻测试方法(正向电压,开关法):状态:重申1999年4月,2002年4月 |
JESD531 | 1986年7月 |
本标准描述了测量信号和调节二极管热阻的试验方法。对这种测试方法进行修改的需要是由于之前在热阻测试中存在的信号和调节器二极管应用的有限描述。先前发表为ID-13。ANSI/EIA-531-1986(7月)于1996年6月到期。2002年4月再次确认后成为JESD531。 委员会(s):jc - 22.4 |