微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评价指南 |
JEP184 | 2021年3月 |
本文档的范围涵盖基于sic的PECS器件,该器件具有偏置的栅极介电区域以打开和关闭器件。这通常是指MOS器件,如mosfet和igbt。在本文档中,只讨论了NMOS器件,因为这些器件在功率器件应用中占主导地位;然而,这些程序也适用于PMOS设备。 委员会(s):jc - 70.2 |
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碳化硅功率mosfet栅极氧化物可靠性和稳健性评估程序指南 |
JEP194 | 2023年2月 |
本文档提供了碳化硅(SiC)基功率器件的栅极氧化物或栅极电介质的栅极可靠性评估和寿命测试指南。 |
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电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件栅极开关不稳定性评估指南 |
JEP195 | 2023年2月 |
本文件详细阐述了JEP184中关于静态条件下和接近开关条件下器件参数的长期稳定性的信息。 |