微电子工业全球标准
标准及文件检索
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标题 | 文档# | 日期 |
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144引脚DDR SGRAM SO-DIMM |
MODULE4.5.9 | 1999年3月 |
第九版 |
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GDDR2特定SGRAM函数 |
SDRAM3.11.5.6 | 2005年5月 |
第13版 委员会(s):jc - 42.3 |
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GDDR3特定SGRAM函数 |
SDRAM3.11.5.7 | 2005年5月 |
委员会(s):jc - 42.3 |
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Pod18 - 1.8 v伪开漏I/O |
JESD8-19 | 2006年12月 |
该标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.8 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.8 V伪开漏接口,也称为POD18,主要用于与GDDR3 SGRAM设备通信。 委员会(s):JC-16 |
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Pod15 - 1.5 v伪开漏I/O |
JESD8-20A.01 | 2022年8月 |
术语更新。该标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.5 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.5 V伪开漏接口,也称为POD15,主要用于与GDDR4和GDDR5 SGRAM设备通信。135.01项 委员会(s):JC-16 |
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图形双数据(GDDR4) SGRAM标准发行号:16 |
SDRAM3.11.5.8 R16.01 | 2023年3月 |
项目1600.41,术语更新本文档定义了图形双数据速率4 (GDDR4)同步图形随机存取内存(SGRAM)标准,包括特性,功能,包和引脚分配。这一范围可能在未来扩大,也包括其他更高密度的设备。 委员会(s):jc - 42.3 |
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Pod135 - 1.35 v伪开漏I/O |
JESD8-21C.01 | 2022年6月 |
编辑,术语更新。该标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.35 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.35 V伪开漏接口,也称为POD135,主要用于与GDDR5或GDDR5M SGRAM设备通信。146.01 b项 委员会(s):JC-16 |
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图形双数据率(gddr5x)的格式标准 |
JESD232A.01 | 2023年3月 |
术语更新。 本标准定义了GDDR5X SGRAM存储器标准,包括特性、设备操作、电气特性、时序、信号引脚分配和封装 委员会(s):jc - 42.3,jc - 42.3 c |