微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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sstua32866 1.8 v可配置注册缓冲区的定义与奇偶校验ddr2 rdimm应用程序 |
JESD82-16A.01 | 2021年10月 |
本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTUA32866注册缓冲区的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规格。其目的是为SSTUA32866(见注)逻辑器件提供一个标准,以实现一致性、源的多样性、消除混淆、简化器件规范和易于使用。这是一个较小的编辑修改,如附件a所示。 |
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定义的SSTUB32866 1.8 V可配置的注册缓冲区与奇偶为DDR2 RDIMM应用程序 |
jesd82 - 25.01 | 2023年1月 |
术语更新。本标准定义了用于DDR2 RDIMM应用的SSTUB32866注册缓冲区的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规范。 委员会(s):JC-40 |
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定义sstvn16859 2.5-2.6 v 13位到26位sstl_2注册缓冲区,用于pc1600, pc2100, pc2700和pc3200 DDR内存应用 |
JESD82-13A | 2005年5月 |
该标准定义了用于PC1600、PC2100、PC2700和PC3200 DDR DIMM应用的SSTVN16859 13位到26位SSTL_2注册缓冲区定义的直流接口参数、开关参数和测试负载的标准规范。SSTVN16859是SSTV16859 (JESD82-4)的速度升级,用于PC3200 DDR内存。它完全向后兼容SSTV16859的所有速度等级。 委员会(s):JC-40 |
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用于pc133注册内存应用的3.3 v 18位LVTTL I/O寄存器描述标准: |
JESD82-2 | 2001年7月 |
该标准定义了标准高度和低轮廓注册PC133 SDRAM DIMM模块所需的寄存器支持设备。该标准的目标是明确定义这种类型的SDRAM模块所需的功能、引脚和电气特性。 委员会(s):JC-40 |
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在ddr2 rdimm应用程序中定义sstub32869带奇偶校验的注册缓冲区: |
JESD82-27 | 2007年5月 |
该标准定义了直流接口参数、开关参数和SSTUB32869注册缓冲区的标准规格,用于在高密度DDR2 RDIMM应用程序上驱动重负载。典型的应用是36 SDRAM平面内存条。 委员会(s):JC-40 |
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低功率双数据速率(lpddr) sdram标准 |
JESD209B | 2010年2月 |
该标准定义了低功率双数据速率(LPDDR) SDRAM,包括特性、功能、AC和DC特性、封装和引脚分配。这一范围可能在未来扩大,也包括其他更高密度的设备。本文档的目的是定义x16和x32低功耗双数据速率SDRAM设备符合JEDEC的64Mb到2Gb的最低要求集。所有提供兼容设备的LPDDR SDRAM供应商都将支持基于本标准要求方面的系统设计。(JESD209最初编号为JESD79-4 2006年5月至2007年8月,更正为JESD209 09/17/2007)。 专利():见文献 |
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字节可寻址的能量支持接口 |
JESD245E | 2022年4月 |
minor-latin;mso-ansi-language:EN-US;mso-fareast-language:EN-US;mso-bidi-language: 委员会(s):jc - 45.6 |
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注册时钟驱动程序定义(DDR5RCD02)发布号:Rev. 1.00 |
jesd82 - 512 | 2023年2月 |
本标准定义了DDR5注册时钟驱动程序(RCD)的直流接口参数、开关参数和测试负载的规格,并对DDR5 RDIMM和LRDIMM应用程序上的驱动地址和控制网络进行奇偶校验。DDR5RCD02设备ID为DID = 0x0052。 |