微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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Pod18 - 1.8 v伪开漏I/O |
JESD8-19 | 2006年12月 |
本标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.8 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.8 V伪开漏接口,也称为POD18,主要用于与GDDR3 SGRAM设备通信。 委员会(s):JC-16 |
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Pod15 - 1.5 v伪开漏I/O |
JESD8-20A.01 | 2022年8月 |
术语更新。本标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.5 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.5 V伪开漏接口,也称为POD15,主要用于与GDDR4和GDDR5 SGRAM设备通信。135.01项 委员会(s):JC-16 |
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Pod10-1.0 v psuedo开漏接口 |
JESD8-25 | 2011年9月 |
本文档定义了1.0 V伪开漏接口系列接口标准POD10,通常期望使用基于差分安培的输入缓冲器来实现,当处于单端模式时,使用外部供电(或内部供电)参考电压控制的触发点。 委员会(s):JC-16 |
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Pod135 - 1.35 v伪开漏I/O |
JESD8-21C.01 | 2022年6月 |
编辑,术语更新。本标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.35 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.35 V伪开漏接口,也称为POD135,主要用于与GDDR5或GDDR5M SGRAM设备通信。146.01 b项 委员会(s):JC-16 |