微电子工业全球标准
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该方法建立了加速测试p沟道MOSFET热载流子诱导变化的标准程序。目标是提供最小的测量集,以便在不同的技术之间进行准确的比较。在表征和晶体管制造过程的基准测试中,指定的测量值应被视为起始品脱。
委员会(s):jc - 14.2
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