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标题 | 文档# | 日期 |
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JESD24附录3 -垂直功率mosfet的热阻抗测量(δ源-漏电压法):状态:重申 |
JESD24 - 3 | 1990年11月 |
本测试方法的目的是测量在施加电压、电流和脉冲持续时间的规定条件下MOSFET的热阻抗。如果使用源极漏极的正向压降作为结温指示器,则温度灵敏度。该方法特别适用于具有较长热响应时间的增强模式功率mosfet。该测试方法可用于测量结对加热脉冲的热响应,通过适当选择加热脉冲的脉冲持续时间和幅度,以确保适当的模具安装到其外壳或直流热阻上。 委员会(s):JC-25 |
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测量直流应力下最大栅极电流下p沟道最场效应热载流子诱导退化的程序 |
JESD60A | 2004年9月 |
本方法建立了加速测试p沟道MOSFET热载子诱导变化的标准程序。目的是提供一组最小的测量值,以便在不同的技术之间进行准确的比较。指定的测量应被视为晶体管制造过程的表征和基准测试的开始。 委员会(s):jc - 14.2 |