微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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注册- FBDIMM, 240位置插座轮廓,1.00 mm接触中心。第11.14-082和11.14-087项。 |
所以- 003 b | 2006年8月 |
委员会(s):JC-11 |
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注册- DDR3 SDRAM DIMM(双内联内存模块)系列,基于flex, 1.00 mm联系中心 |
mo - 290 a | 2007年11月 |
项目-118 - 11.14 专利():STAKTEK,见大纲 委员会(s):JC-11 |
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注册- DDR3 DIMM 240位置插座轮廓,1.00 mm联系中心 |
所以- 007 b | 2008年9月 |
项目-119 - 11.14 委员会(s):JC-11 |
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注册- DDR1/DDR2/DDR3, 144引脚,16b/32b小轮廓双Inline内存模块(SODIMM), 0.8 mm间距,插座轮廓。 |
所以- 008 b | 2012年10月 |
项目-141 - 11.14 委员会(s):JC-11,jc - 11.14 |
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注册- 240引脚DDR3 DIMM(双内联内存模块)家族1.00毫米间距。昏暗的 |
mo - 269 j | 2014年4月 |
项目-163 - 11.14 委员会(s):JC-11,jc - 11.14 |
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204针DDR3 SDRAM无缓冲SODIMM设计规范 |
MODULE4.20.18 | 2014年5月 |
第24号版本; |