微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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包对包(PoP)和内部堆叠模块(ISM) |
MCP3.12.2 | 2012年1月 |
第22版。 委员会(s):jc - 63 |
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Hsul_12 lpddr2和lpddr3 I/O,可选odt |
JESD8-22B | 2014年4月 |
本标准规定了在高速无端接逻辑(HSUL_12)逻辑开关范围(名义上为0 V至1.2 V)工作的设备的输入、输出规格和交流测试条件。本标准可应用于具有单独VDD和VDDQ供电电压的集成电路。 委员会(s):JC-16 |
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低功耗双数据速率2 (lpddr2) |
JESD209-2F | 2013年6月 |
本文档定义了LPDDR2规范,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。本标准涵盖LPDDR2-S2A、LPDDR2-S2B、LPDDR2-S4A、LPDDR2-S4B、LPDDR2-N-A和LPDDR2-N-B技术。该标准的目的是定义符合JEDEC的最低要求集,适用于x8、x16和x32 SDRAM设备的要求为64 Mb到8 Gb,适用于NVM设备的要求为64 Mb到32 Gb。项目1725.01 g。 专利():在会员区,JEDEC会员可以获得保证/披露表格的完整列表。非会员可向JEDEC办公室索取个人保证/披露表格。 委员会(s):jc - 42.6 |
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多芯片封装(MCP)和离散e•MMC, e•2MMC和UFS发行编号:32 |
MCP3.12.1 | 2023年3月 |
项目140.07 b。 本节提供了与混合存储技术(包括Flash (NOR和NAND)、SRAM、PSRAM、LPDRAM、USF等)的Multi-Chip package (MCP)和堆叠芯片规模封装(SCSP)相关的电接口项。这些项目包括单个封装封装内的模对模堆叠、包对包或模块对包技术等。本节还包含各种存储技术的硅垫序列信息,以帮助设计和优化存储子系统或完整的存储堆叠解决方案。 委员会(s):jc - 64.2 |