微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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低功耗双数据速率(LPDDR)非易失性存储器(NVM) (1674.17, 1674.16, 1674.20 |
NVRAM3.6.3 | 2009年2月 |
发行号18A |
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JESD209A的附录1,低功耗双数据速率(LPDDR) SDRAM, 1.2 V I/O。 |
JESD209A-1 | 2009年3月 |
本文档定义了LPDDR (Low Power Double Data Rate) SDRAM 1.2 V I/O,包括交流和直流工作条件、扩展模式寄存器设置和I-V特性。本标准的目的是定义符合JEDEC标准的最低要求,适用于具有1.2 V I/O的x16和x32低功耗双数据速率SDRAM设备,规格为64mb至2gb。所有提供兼容设备的LPDDR SDRAM供应商都将支持基于本规范所需方面的系统设计。 委员会(s):jc - 42.6 |
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低功耗双数据速率(lpddr) sdram标准 |
JESD209B | 2010年2月 |
本标准定义了低功耗双数据速率(LPDDR) SDRAM,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和引脚分配。这个范围将来可能会扩展到包括其他更高密度的器件。本文档的目的是定义符合JEDEC标准的最低要求,适用于x16和x32低功耗双数据速率SDRAM设备,从64Mb到2Gb。所有提供兼容设备的LPDDR SDRAM供应商都将支持基于该标准所需方面的系统设计。(JESD209原编号为JESD79-4 2006年5月至2007年8月,更正为JESD209 09/17/2007)。 专利():见文献 |