微电子工业全球标准
标准及文件检索
显示4个文档中的1 - 4个。
标题 | 文档# | 日期 |
---|---|---|
JESD209A的附录1,低功耗双数据速率(LPDDR) SDRAM, 1.2 V I/O。 |
JESD209A-1 | 2009年3月 |
本文档定义了LPDDR (Low Power Double Data Rate) SDRAM 1.2 V I/O,包括交流和直流工作条件、扩展模式寄存器设置和I-V特性。本标准的目的是定义符合JEDEC标准的最低要求,适用于具有1.2 V I/O的x16和x32低功耗双数据速率SDRAM设备,规格为64mb至2gb。所有提供兼容设备的LPDDR SDRAM供应商都将支持基于本规范所需方面的系统设计。 委员会(s):jc - 42.6 |
||
宽I/O单数据速率(宽I/O sdr) |
JESD229 | 2011年12月 |
该标准定义了宽I/O规范,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和微柱信号分配。该标准涵盖以下技术:宽I/O。本标准的目的是定义符合JEDEC的最低要求,1 Gb到32 Gb SDRAM(单片密度)设备具有4,128 b宽通道,使用1到4个存储设备和控制器设备之间的直接芯片对芯片连接方法。 |
||
低功耗双数据速率(lpddr) sdram标准 |
JESD209B | 2010年2月 |
本标准定义了低功耗双数据速率(LPDDR) SDRAM,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和引脚分配。这个范围将来可能会扩展到包括其他更高密度的器件。本文档的目的是定义符合JEDEC标准的最低要求,适用于x16和x32低功耗双数据速率SDRAM设备,从64Mb到2Gb。所有提供兼容设备的LPDDR SDRAM供应商都将支持基于该标准所需方面的系统设计。(JESD209原编号为JESD79-4 2006年5月至2007年8月,更正为JESD209 09/17/2007)。 专利():见文献 |
||
低功耗双数据速率3 sdram (lpddr3) |
JESD209-3C | 2015年8月 |
本文档定义了LPDDR3标准,包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。本标准的目的是为x16和x32 SDRAM设备定义符合JEDEC的4 Gb到32 Gb的最低要求集。 本文档使用以下标准的各个方面创建:DDR2 (JESD79-2)、DDR3 (JESD79-3)、LPDDR (JESD209)和LPDDR2 (JESD209-2)。委员会项目编号1798.11 d。 专利():在会员区,JEDEC会员可以获得保证/披露表格的完整列表。非会员可向JEDEC办公室索取个人保证/披露表格。 委员会(s):jc - 42.6 可供购买:208.00美元 添加到购物车 JEDEC付费会员可以登录免费访问。 |