微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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注册-冲压单,细间距,方形,非常薄,引线框架为基础的四无铅交错双排(可选热增强)QFN封装系列。HVF-PQFN。 |
mo - 267 b | 2006年2月 |
项目-745 - 11.11 专利():Amkor, ASAT, National Semiconductor:见大纲 委员会(s):JC-11,jc - 11.11 |
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设计要求-单孔冲孔、细间距、方形、非常薄和非常薄轮廓、引脚框架为基础的四段无铅斜线、双排封装(可选的热增强)QFN。 |
dg - 4.23 a | 2005年11月 |
单品11.2 -728 (S)。 |