微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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JESD209A附录1,低功率双数据速率(LPDDR) SDRAM, 1.2 V I/O。 |
JESD209A-1 | 2009年3月 |
本文档定义了LPDDR (Low Power Double Data Rate) SDRAM 1.2 V I/O,包括AC和DC工作条件、扩展模式寄存器设置和I-V特性。本标准的目的是定义具有1.2 V I/O的x16和x32低功耗双数据速率SDRAM设备符合JEDEC的64mb到2gb的最低要求集。所有提供兼容设备的LPDDR SDRAM供应商都将支持基于本规范要求方面的系统设计。 委员会(s):jc - 42.6 |
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非端式数字集成电路的宽电源电压范围cmos直流接口标准 |
JESD8-23 | 2009年10月 |
本标准定义了用于宽电源电压范围的非端部CMOS数字电路系列的直流接口参数和测试条件。该标准连接了JESD8-x家族中许多现有的JEDEC标准,以促进在超宽电源电压范围内运行的应用程序,以实现更低的功耗或更高的性能。 委员会(s):JC-16 |
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Hsul_12 lpddr2和lpddr3 I/O与可选odt |
JESD8-22B | 2014年4月 |
本标准定义了在高速无端逻辑(HSUL_12)逻辑开关范围(名义上为0v至1.2 V)下工作的设备的输入、输出规格和交流测试条件。该标准可应用于独立VDD和VDDQ供电电压的ic。 委员会(s):JC-16 |