微电子工业全球标准
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本文描述了一种使用直流偏置测量单个n通道MOSFET热载流子诱导退化的加速测试。本文件的目的是指定最小测量集,以便以简单、一致和可控的方式在不同技术、IC工艺和工艺变化之间进行有效的比较。所规定的测量应被视为晶体管制造过程的表征和基准测试的起点。
委员会(s):jc - 14.2
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