微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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Pod135 - 1.35 v伪开漏I/O |
JESD8-21C.01 | 2022年6月 |
编辑,术语更新。本标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.35 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.35 V伪开漏接口,也称为POD135,主要用于与GDDR5或GDDR5M SGRAM设备通信。146.01 b项 委员会(s):JC-16 |
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图形双数据速率(GDDR6) SGRAM标准 |
JESD250D | 2023年5月 |
本文档定义了图形双数据速率6 (GDDR6)同步图形随机存取存储器(SGRAM)规范,包括特性、功能、封装和引脚分配。本标准的目的是定义8gb至16gb x16双通道GDDR6 SGRAM设备的最低要求。所有提供兼容设备的GDDR6 SGRAM供应商都将支持基于该标准所需方面的系统设计。GDDR6标准的某些方面,如交流时序和电容值没有标准化。有些功能是可选的,因此可能因供应商而异。在所有情况下,应查阅供应商数据表以了解具体情况。本文档是基于GDDR5标准(JESD212)的某些方面创建的。 委员会(s):jc - 42.3 c |
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Pod125 - 1.25 v伪开漏I/O |
JESD8-30A.01 | 2022年6月 |
编辑术语更新。本标准定义了直流和交流单端(数据)和差分(时钟)工作条件,I/O阻抗,以及1.25 V伪开漏I/O的终止和校准方案。1.25 V伪开漏接口,也称为POD125,主要用于与GDDR6 SGRAM设备通信。 委员会(s):JC-16 |