微电子工业全球标准
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本方法建立了加速测试p沟道MOSFET热载子诱导变化的标准程序。目的是提供一组最小的测量值,以便在不同的技术之间进行准确的比较。指定的测量应被视为晶体管制造过程的表征和基准测试的开始。
委员会(s):jc - 14.2
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