微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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GaAs场效应管热阻测量指南: |
JEP110 | 1988年7月 |
本出版物适用于需要高可靠性的功率GaAs场效应管应用。准确的热阻测量对于向用户提供fet工作温度的知识非常重要,从而可以做出更准确的寿命估计。一般来说,FET的失效机制和故障率与温度呈指数依赖性(这就是温度加速测试成功的原因)。由于故障率与温度呈指数关系,因此热阻应参考FET中最热的部分。 委员会(s):jc - 14.7 |
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GaAs MMIC PHEMT/MESFET和HBT可靠性加速寿命试验指南 |
JEP118A | 2018年12月 |
这些指南适用于GaAs单片微波集成电路(mmic)及其单个组件构建模块,如GaAs金属半导体场效应晶体管(mesfet),伪晶高电子迁移率晶体管(PHEMTs),异质结双极晶体管(HBTs),电阻和电容器。虽然本文档中描述的程序可以应用于其他半导体技术,特别是用于射频和微波频率模拟应用的半导体技术,但它主要用于基于GaAs和相关III-V材料系统(InP, AlGaAs, InGaAs, InGaP, GaN等)的技术。 委员会(s):jc - 14.7 |