微电子工业全球标准
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这些指南适用于GaAs单片微波集成电路(mmic)及其单个组件,如GaAs金属半导体场效应晶体管(mesfet)、伪纯高电子迁移率晶体管(PHEMTs)、异质结双极晶体管(HBTs)、电阻和电容器。虽然本文档中描述的程序可以应用于其他半导体技术,特别是那些用于射频和微波频率模拟应用的技术,但它主要用于基于GaAs和相关III-V材料系统(InP, AlGaAs, InGaAs, InGaP, GaN等)的技术。
委员会(s):jc - 14.7
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