微电子工业全球标准
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标题 | 文档# | 日期 |
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GaAs MMIC PHEMT/MESFET和HBT可靠性加速寿命试验指南 |
JEP118A | 2018年12月 |
这些指南适用于GaAs单片微波集成电路(mmic)及其单个组件构建模块,如GaAs金属半导体场效应晶体管(mesfet),伪晶高电子迁移率晶体管(PHEMTs),异质结双极晶体管(HBTs),电阻和电容器。虽然本文档中描述的程序可以应用于其他半导体技术,特别是用于射频和微波频率模拟应用的半导体技术,但它主要用于基于GaAs和相关III-V材料系统(InP, AlGaAs, InGaAs, InGaP, GaN等)的技术。 委员会(s):jc - 14.7 |
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电子器件失效机理加速度模型的建立方法 |
JESD91B | 2022年3月 |
本文档中描述的方法适用于与电子设备相关的所有可靠性机制。本标准的目的是为开发电子设备中缺陷相关和磨损机构的加速度模型提供参考。 委员会(s):jc - 14.3 |
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焊锡球拉状态:重申2021年9月 |
JESD22-B115A.01 | 2016年7月 |
本文档仅描述一种测试方法;未定义验收标准和资格要求。本测试方法适用于焊锡球拉力/能量测试之前的最终使用附件。焊锡球是单独使用机械爪拉;收集并分析了力、断裂能和失效模式数据。其他使用加热热模的专用锡球拉拔方法,多个焊点的组合拉拔等,不在本文档的范围内。亚博收网行动本文档涵盖了低速和高速测试。这是对JESD22-A115A的一个小的编辑修订。 |