微电子工业全球标准
标准及文件检索
显示7个文档中的1 - 7个。显示5每页的结果。
标题 | 文档# | 日期 |
---|---|---|
等温电迁移试验程序:状态:重申2018年9月 |
JESD61A.01 | 2007年10月 |
本标准描述了使用计算机控制仪器执行等温测试的算法。该测试的主要用途是在晶圆级监测微电子金属化线(1)在工艺开发中,评估工艺选择,(2)在制造中,监测金属化可靠性,(3)监测/评估工艺设备。虽然它是作为一种快速的WLR测试而开发的,但它也可以作为补充通过标准封装级电迁移测试获得的可靠性数据的有效工具。 |
||
计算电流密度和温度的电迁移模型参数的标准方法:状态:重申4/17/23 |
JESD63 | 2023年4月 |
该方法提供了计算电流密度和温度的电迁移模型参数的样本估计及其置信区间的程序。电流密度的模型参数是布莱克方程中电流密度提高到的指数(n)。温度参数为电迁移失效过程的活化能。 委员会(s):jc - 14.2 |
||
带阻隔材料的铝金属件可靠性评定的标准试验结构状态:重申04/17/2023 |
JESD87 | 2023年4月 |
本文档描述了评估铝铜难熔金属屏障互连系统可靠性所需的测试结构设计。这包括任何金属互连系统,其中难熔金属屏障或其他屏障材料阻止铝和/或铜金属离子在互连层之间移动。本文件并非旨在展示测试结构的设计,以评估铝或铝铜合金系统,没有铝和铜离子运动的障碍,也不是仅用于铜金属系统。一些整体互连系统可能不包括所有金属层上的阻隔材料。本标准中的结构是为屏障材料分隔两个铝或铝合金金属层的情况而设计的。本文档的目的是描述评估铝铜屏障金属系统的电迁移(EM)和应力诱导空洞(SIV)可靠性所需的测试结构设计。 委员会(s):jc - 14.2,jc - 14.21 |
||
恒流和温度应力下互连电迁移失效时间分布的表征方法状态:重申2018年9月 |
JESD202 | 2006年3月 |
这是一种加速应力测试方法,用于确定样本估计及其对数正态分布的中位失效时间、σ和早期百分位数的置信限,用于表征等效金属线在恒定电流密度和温度应力下的电迁移失效时间分布。故障被定义为被测线路电阻的一些预先选择的分数增加。提供了分析程序来分析完整的、单一的、正确审查的故障时间数据。附录a中提供了完整和右审查数据的示例计算。分析不适用于失效分布不能以单对数正态分布为特征的情况。 |
||
铸造工艺鉴定指南-寿命后端(晶圆制造现场) |
JEP001-1A | 2018年9月 |
本文档描述了用于半导体技术鉴定的后端测试和数据方法。它不给出合格或不合格值,也不推荐特定的测试设备、测试结构或测试算法。只要可能,它引用适用的JEDEC,如JESD47或其他广泛接受的需求文档标准。 委员会(s):jc - 14.2 |
||
恒定电流和温度应力下焊料凸点电迁移特性的导则状态:重申2011年6月 |
JEP154 | 2008年1月 |
本文档介绍了一种测试焊料凸点(包括倒装芯片封装中使用的其他类型的凸点,如锡包覆铜柱)电迁移(EM)敏感性的方法。该方法适用于Sn/Pb共晶、高Pb和无Pb焊点。该文档讨论了与EM测试相关的优点和关注点,以及数据分析的选项。 |
||
排汗程序:排汗的程序:状态:重申2012年10月,2018年9月 |
JEP119A | 2003年8月 |
本文档描述了一种用计算机控制仪器执行标准晶圆级电迁移加速测试(SWEAT)方法的算法。该算法需要单独的迭代技术(未提供)来计算给定目标时间内的力电流直至失效。本文档没有指定该过程使用什么测试结构。然而,该算法的用户报告了它在直线和通端测试结构上的有效性。在JESD87和ASTM 1259M - 96中提供了一些测试结构的设计特征。 委员会(s):jc - 14.2 |